Al-W 合金膜の Cu 表面保護膜としての酸化特性
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概要
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Cu配線層の酸化を抑制するために、Al-W合金薄膜をCu上に堆積した系で、その酸化特性をAES及びXPS分析によって検討した。その結果、Al-W合金膜は室温で作製可能であり、500℃で1時間の酸化処理後においても、Alの選択酸化と金属状態のWによるAl_2O_3層からのCu層の分離によってCuの酸化を効果的に抑制できることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-29
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
市川 貴朗
北見工大
-
竹増 健
北見工大
-
市川 貴朗
北見工業大学工学部 電気電子工学科
-
竹増 健
北見工業大学工学部 電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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