Cu/IVa遷移金属/Siコンタクト系における還移金属の拡散挙動
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概要
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CuとIVa族遷移金属とのコンタクト構造において生起する拡散・反応の挙動がAES及びXPSによって検討を行った。その結果,これらの系で生起する拡散・反応は,用いたIVa遷移金属のchemical affinityの違いによって説明された。また、IVa遷移金属, Cu/IVa遷移金属/Siコンタクト構造とすることで、コンタクト系の表面方向へのバリヤ材料の拡散が抑制され、コンタクト界面での相互拡散も低減できることがわかった。同時に、コンタクトの最上層に設けたIVa遷移金属の薄い層は、Cuの表面保護膜として機能し得る可能性が示唆された。
- 1994-09-13
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
畠山 弘貴
北見工大
-
畠山 弘貴
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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