Al(001)/YSi2-x/Si(001)系における連続エピタキシャル成長
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概要
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Si(001)基板上に330℃で堆積したY(50Å)を500℃で10 minアニールすることによってhexagonal YSi2-xのエピタキシャル層を形成し、これをtemplateとして更に330℃でY(150Å)を堆積させその後330℃で1時間のアニールを行ってYSi2-xエピタキシャル層を成長させたところtetragonal YSi2-xの形成が見られた。更に、Alを成長させた結果これらは、Al[100]//t-YSi2-x[100]//h-YSi2-x[11^^-00]//Si[100]の関係を持つ連続ヘテロエピタキシャル積層構造となっていることが知られた。この系に熱処理を施すと、450℃以上の温度でAl3Yの形成が生じ、これが系を崩壊に導く要因てあることが知られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
青柳 英二
東北大学金属材料研究所
-
平賀 賢二
東北大学金属材料研究所
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
福田 朝之
北見工業大学電気電子工学科
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