C-6-7 Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
-
佐藤 勝
北見工業大学
関連論文
- HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Al-Ti合金薄膜表面酸化層の形成過程の検討
- Al-Y合金薄膜に形成される表面酸化層のキャラクタリゼーションと形成過程の検討
- Al-Ti 合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Al-Y合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Nb/Si系の界面反応におけるmetal-richシリサイドの初期形成
- C-6-18 TDEAV原料を用いたALD-VN_x膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
- 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 : 低温作製されたZrN_x膜の特性評価
- ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般)
- SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般)
- 格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- TDEAV原料を用いたVN_x膜のALD成膜
- ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製
- Ta/Si系におけるシリサイド形成過程の検討
- Cu/SiO_2間の極薄VNバリヤの劣化メカニズム(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/VN/SiO_2/Si構造におけるナノクリスタルVNバリヤの有用性
- Cu/SiコンタクトにおけるZrNバリヤの構造がバリヤ特性に及ぼす影響
- 高信頼Cu配線のための微結晶ZrNバリヤの適用
- C-6-4 Cu/VN/Siコンタクトの熱的安定性とVNバリアの構造変化
- SiO2 上の Cu 配線に対する Zr 及び ZrN 拡散バリア特性の検討
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Ta_2N陽極酸化膜による耐熱性に優れた薄膜キャパシタの作製
- Al/Al_3Ti/Ti/Si 積層コンタクト構造の熱的安定性の検討
- ラジカルを用いた低温で安価な窒化物膜の作製とコーティングへの応用 (特集 新素材・ナノテクのライセンス技術)
- ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討
- CS-5-4 Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄ナノバリヤの動向とその界面制御(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu-Zr/n-InPコンタクトにおけるCu-Zr合金組成と界面反応(電子部品・材料, 及び一般)
- オージェ電子分光を用いたCu/Ta_2Al/Ta/Siコンタクト構造の熱的安定性の検討
- Ta/Si系におけるシリサイド形成初期過程の検討
- Y添加Cu層を有するCu/TiN/Siコンタクト系のSi拡散挙動
- ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/VN/SiOC/Si系における極薄VNバリヤの特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/SiO_2間に介在させたV-N膜の界面反応と拡散挙動
- Cu/SiO_2間におけるNb-Nバリヤ層の適用
- SiO_2上のCu配線におけるNb介在層の適用
- Al-Si間におけるAl_3Zr/Zr積層膜の拡散バリヤ効果について
- CuTi- Cu_3Ti化合物合金膜の作製とCu/CuTi-Cu_3Ti/TiN/Siコンタクト系への拡散バリヤとしての適用
- ZrN薄膜の低温プロセスにおける作製
- Al/Al_3Zr/Zr/Siコンタクト構造の熱的安定性
- Tiシリサイド相の変化がCu/CuTi_2/Ti/Siコンタクト系のSi界面安定性に及ぼす影響
- CuTi_2金属間化合物膜の作製とCu/CuTi_2/Siコンタクト構造への適用
- ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 極薄TiHfNバリヤを用いたCu/TiHfN/Siコンタクトの熱的安定性(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/Ta-W/SiコンタクトにおけるCu拡散に対する界面シリサイド層の役割
- n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現
- CPM2000-85 Cu/SiO_2間におけるVN膜のバリヤ特性
- CPM2000-84 Cu/SiO_2間に介在させたTa-W合金薄膜のバリヤ特性
- CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
- CPM2000-70 Cu上の表面保護膜としてのAl-Mo合金膜の適用
- ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成
- ポリメタルゲート電極におけるW_2NおよびZrN薄膜のバリヤ特性
- Cu/Siコンタクト系におけるTiZrN拡散バリヤの低温作製
- Cu-Zrアモルファス合金を用いたn-InPへのオーミックコンタクト
- Cu/Siコンタクト系におけるTi-Zr-N拡散バリヤの適用
- Ta-W合金拡散バリヤを用いたAl(111)/Si(100)コンタクトの形成
- Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価
- Cu/Si系における極薄ZrN膜の拡散バリヤ効果
- Cu/W-nitride/Siコンタクト系におけるW-nitride薄膜のバリヤ特性
- Cu/SiコンタクトにおけるTa-W合金膜の拡散バリヤとしての評価
- Al/Nb/SiO_2/Si構造におけるAl(111)面の高配向成長と界面反応の評価
- Cuメタライゼーションにおける低温で作製されたZrN薄膜の拡散バリヤ効果
- 高配向成長させたCu(111)/W(110)/Si(100)コンタクト構造の熱的安定性
- W薄膜によるCu表面の酸化保護
- Cu/Siコンタクト系におけるCu-Hfアモルファス合金膜の適用
- Cu/W-N/Si系におけるCuの結晶性とW-Nバリヤ特性
- Al/Al_3Nb/SiO_2構造におけるAl(111)面の高配向成長
- 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 (電子部品・材料)
- Cu/IVa遷移金属/Siコンタクト系における還移金属の拡散挙動
- Al-W 合金膜の Cu 表面保護膜としての酸化特性
- Cu/Siコンタクト系におけるCu-Zrアモルファス合金膜の適用とZr系拡散バリヤの検討
- C-6-7 Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- Al(001)/YSi2-x/Si(001)系における連続エピタキシャル成長
- 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価
- NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般)
- オージェ電子分光分析による合金膜のシリサイド形成初期過程の検討
- ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製 (電子部品・材料)
- 反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程 (電子部品・材料)
- オージェ電子分光分析によるAl/Al_3Ta/TaN/Siコンタクト構造の熱的安定性
- Cu/metal/SiO/Si構造における界面での拡散・反応挙動(1)Va遷移金属の拡散挙動 (電子部品・材料)
- Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成 (電子部品・材料)
- C-6-3 TSV配線における絶縁層としてのSiN_x膜の低温作製(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi_2相の低温での共存形成(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 ナノ結晶ZrN_x膜の成長過程の検討(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ラジカル反応を応用した低温でのSiN_x膜の作製
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) : Va遷移金属の拡散挙動(薄膜プロセス・材料,一般)
- 反応性スパッタによるZrN_xナノ結晶バリヤ膜の形成過程
- Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- ナノ結晶組織を有する薄いHfN_x膜のCuに対する拡散バリヤ特性
- C-6-3 酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応(C-6.電子部品・材料,一般セッション)