Al/Al_3Nb/SiO_2構造におけるAl(111)面の高配向成長
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概要
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Si-LSI配線技術において配線材料の主流であるAlは、更なる微細化に伴ってマイグレーション耐性の最も優れた(111)面の高配向化が切望されている。層間絶縁膜であるSiO_2上でのAl配線層においては、Ti等の介在層を設けることによりその高配向成長が実現されるものの、AlとTiとの化合物形成反応も同時に進行し、配線が消費されることが問題となっている。そこで本研究では、Al/SiO_2間の介在層としてAl-richで安定な金属間化合物層の適用を提案し、安定な金属間化合物の一つであるAl_3Nb層を用いた場合のAl/Al_3Nb/SiO_2構造におけるAlの結晶性及び構造の安定性について検討したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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