Al-Ti合金薄膜表面酸化層の形成過程の検討
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概要
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Al-Ti合金薄膜表面に形成される表面酸化層のキャラクタリゼーションと形成過程を合金組成および合金薄膜の構造と関連づけて検討した.合金中のAlは, 合金組成およびその構造によらず, 酸化初期段階では選択酸化により最表面に薄いAl_2O_3層を形成するが, Al表面に形成される酸化層に匹敵するAl_2O_3'層が形成可能である十分Al-richな合金組成の場合には, その直下のTiは金属状態で存在することが可能であり, 300℃1時間の酸化処理後でも表面酸化層は保護性を示し, 合金内部への酸化の進行は認められなかった.一方, 最表面のAlの選択酸化を十分保障できない合金組成では, 薄いAl_2O_3を介して導入される酸素によりTiの酸化が生じ, それに伴ってAlの酸化も生じるため, 酸化は容易に内部に進行する.また, ほぼ同一組成のAl-Ti合金であっても, 金属間化合物膜とアモルファスに合金膜とでは形成される酸化層の厚さが異なり, 化合物膜に形成される酸化層の方が薄くなることがわかった.このことは, 金属が反応種となるイオン化過程において, 化合物相とアモルファス相との合金組織の中での化学結合としての相互作用の差に起因するものと考えられた..
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-25
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
村上 佳隆
北見工業大学工学部電気電子工学科 : (現)東光株式会社
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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