CPM2000-85 Cu/SiO_2間におけるVN膜のバリヤ特性
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概要
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Si-ULSIにおけるCu配線の形成には、フィールド酸化膜との間にバリヤ層が必要不可欠であり、このバリヤ材料として微結晶なVN膜の適用を検討した。VNバリヤは、窒化物としては低抵抗であり、CuおよびSiO_2との界面は、高温で熱処理した場合にも十分安定で、Cuの粒界拡散をも十分に抑制できることが判った。さらにVN膜は100Åまで薄層化した場合でも、700°CまでCuの拡散を抑制できる優れたバリヤ特性を示し、200°Cで成膜したVNバリヤも低抵抗(〜76μΩcm)かつ高安定なバリヤ特性を示すことが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
佐藤 和美
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)日立国際電気
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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