3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 : 低温作製されたZrN_x膜の特性評価
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概要
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Si-ULSIの3次元Si貫通ビア配線にとって,最も重要な要件の一つが200℃以下の低温プロセスである.本研究では,Si貫通ビア配線に用いられる拡散バリヤ膜の新たな手法を提案し,スパッタ法にラジカル反応を用いることで,200℃以下でZrN膜の成膜を可能とした.さらに,Zrをラジカル反応によって窒化させたZrNバリヤは5nmと薄く,かつ基板加熱なしの状態で成膜したにもかかわらず,500℃の熱処理後においても界面層のない特性であったことから,反応性スパッタ法を用いて基板温度350〜400℃で作製したZrN膜と同程度のバリヤ特性が得られた.このことから,Si貫通ビア配線に用いられる拡散バリヤの新たな手法として現在,唯一の手法であると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-08-03
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
-
早坂 祐一郎
東北大学金属材料研究所
-
青柳 英二
東北大学金属材料研究所
-
武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
-
佐藤 勝
北見工業大学
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