SiO_2上のCu配線におけるNb介在層の適用
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概要
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Cu/SiO_2 (/Si) 間の付着力向上とCu拡散防止のための介在層としてNb簿膜の適用を検討した。Nbは堆積時にNb/SiO_2界面でSiO_2を還元すること、及びこの反応は750℃までは、それ以上進行しないことがわかった。一方、熱処理によりCuを通したNbの試料表面への拡散と、Nb中へのCuのわずかな拡散が認められたが、良好な付着力を得ることができ、かつある程度熱的に安定性が得られる介在層となることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-31
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
坂上 正和
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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