Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
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概要
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Cuメタライゼーション技術の基礎的検討として、Cu-SiO_2間に化学的活性度の異なる種々の金属(Y、V、W)をCu配線層の拡散バリヤとして介在させたCu, metal/SiO_2/Siを構造を作製し、各界面における拡散・反応挙動をXPS、AES等により評価した。各試験料において、熱処理前ではmetal/SiO_2界面において金属層の活性度に対応したSiO_2の還元反応が観測された。また、各試験に対して熱処理を行った場合、Cu/Y/SiO_2/Si、Cu/V/SiO_2/Si系においては、各々熱処理温度250℃、600℃でSiO_2層が消失し、Su/W/SiO_2/Si系においては熱処理温度800℃において局所的な系の崩壊が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-13
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
関 光
北見工業大学工学部 電気電子工学科:(現)富士通
-
松下 渉
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
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