Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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Cu配線技術において、低抵抗なバリヤを用いることが配線抵抗の低減にとって必要不可欠である。本研究では、Ta系のバリヤよりも十分低抵抗なZrN膜をCuの拡散バリヤとして、low-κ材料であるSiOC上に適用し、そのバリヤ特性について検討した。その結果、ZrNバリヤはSiOC上に適用しても十分に安定なCu/ZrN/SiOC/Si構造を実現できることが明らかとなった。さらに、膜厚を〜8nm程度に極薄化したZrNバリヤをCu/SiOCとの間に用いても、界面でのミキシング等に起因する界面層の形成も見られず、ZrN膜はCuの拡散バリヤとして十分適用可能であり、かつ配線抵抗の低減にとって極めて有用なバリヤ材料であることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-25
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
-
佐藤 勝
北見工業大学
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