Cu/Ta-W/SiコンタクトにおけるCu拡散に対する界面シリサイド層の役割
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概要
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Ta-W固溶合金をバリヤに用いた, Cu/Ta-W/Siコンタクトにおける極微量Cuの拡散を二次イオン質量分析(SIMS)によるデプスプロファイルを得て検討した。その結果, 熱処理によりバリヤを拡散した極微量Cuは, バリヤとSiとの界面に形成されるTa-W-Siからなるアモルファス界面層によって, Si基板中への拡散を阻止されるが, この界面でシリサイドの形成が始まると, シリサイド中へ取り込まれ, シリサイド層からSi基板中への拡散が生じることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
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