Y添加Cu層を有するCu/TiN/Siコンタクト系のSi拡散挙動
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概要
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SiーLSIのCu配線技術における不純物添加効果の一例として,Yを約10%添加したCuーY合金膜を用い,Cu/Cu-Y/Tin/Si積層構造の安定性を調べた.その結果,Cu/Tin/Si系の場合と比較してSiが異なる拡散挙動を示すこと,および500゜CでもCu配線層の消費が生じないことが知られた.
- 1993-07-25
著者
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
中西 太一
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
氏家 健二
北見工業大学工学部電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学
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