ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Si-ULSIにおけるCu配線の拡散バリヤに、ZrB_2という新たな材料を適用するために、プロセスに適用可能な低温で堆積することが可能かどうか検討した。まず、ZrB_2膜のキャラクタリゼーションを検討した結果、ZrB_2膜は基板温度を500℃まで変化させても、明確な結晶性を示さないこと、基板が異なる場合には、配向成長する場合があること、絶縁膜上と導体上では抵抗率が異なること等の特徴を有することがわかった。また、ZrB_2膜は700℃で1時間の熱処理後においても、顕著な構造変化を示さない熱的に安定な材料であることが知られた。このZrB_2膜をCu/SiO_2間の拡散バリヤとして適用した結果、3nm程度と極めて薄いZrB_2膜を用いたにもかかわらず、500℃程度以上の熱処理に耐えられる優れたバリヤ特性を示すことが明らかとなった。したがって、ZrB_2膜は今後のSi-ULSIにおけるバリヤ材料として十分に適用可能なことが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
中台 保夫
アルバックマテリアル(株)
-
神原 正三
アルバックマテリアル(株)
-
畠中 正信
(株)アルバック
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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