ポリメタルゲート電極におけるW_2NおよびZrN薄膜のバリヤ特性
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概要
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熱的安定性に優れたポリメタルゲート電極を構成するためのバリヤ材料として,W_2NおよびZrN薄膜を適用した,W/W_2N/poly-Si/SiO_2/SiならびにW/ZrN/poly-Si/SiO_2/Si構造を作製し,熱処理に伴う構造の安定性を検討した。その結果,850℃1時間の熱処理によってもこれらの構造は安定であり,優れたバリヤ特性を示した。その要因は化合物としてのW_2NおよびZrNの安定性による界面反応の抑制に求められた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-15
著者
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