Al/Nb/SiO_2/Si構造におけるAl(111)面の高配向成長と界面反応の評価
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概要
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Al(111)面の高配同化を実現するため、Al/SiO_2間への介在層としてNbを適用した結果、SiO_2上のNb層は(110)面が高配向成長した柱状構造を示し、さらにその上のAl層は粒径が約100〜300nmで(111)面の高配向成長を示すことが判った。また、この様な構造では従来のランダム配向した多結晶膜に比べて結晶粒界が低減されており、熱処理に伴う界面固相反応において反応種の拡散が体積拡散を伴うようになるため、Al/Nb界面でのAl_3Nbの形成反応を従来よりも高い温度まで抑制できることが判った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
福田 朝之
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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