Al_3Ti/Ti積層膜の拡散バリヤ特性に及ぼす膜厚の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は、これまでサブミクロン領域における高安定なAlメタライゼーションを実現するため、Al_3Ti/Ti積層膜を拡散バリヤとして適用したAl(2000Å)/Al_3Ti(1500Å)/Ti(1500Å)/Siコンタクト構造を作製し、その熱的安定性を検討してきた。その結果、Al_3Tiの化学量論性に留意すれば、熱処理温度500℃程度までは安定に保持できることがわかった。本報告は、その結果に基づき拡散バリヤ層であるAl_3Ti層及びTi層を薄くした場合の影響について検討したものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
関連論文
- C-6-10 Ta/Hf積層陽極酸化膜キャパシタの損失特性と酸化過程の検討
- C-6-3 化学量論的なTaN薄膜の(100)Si上での室温エピタキシャル成長(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-7 Nb/Hf2層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性
- CPM2000-83 薄いZrN/Zr2層膜を介在させたAl/ZrN/Zr/Siコンタクト系の熱的安定性
- 超高真空系で作製したMo/(100)Si系のシリサイド形成初期過程
- Alメタライゼーション系におけるAl_12Mo/Mo積層膜の拡散バリヤ効果
- (200)TiN高配向膜上への(111)Al高配向成長に及ぼすAl_3Ti中間介在層の影響
- Al_3Ti/Ti積層膜の拡散バリヤ特性に及ぼす膜厚の影響
- Al/Al_3Ti/Ti/Si 積層コンタクト構造の熱的安定性の検討
- 低化成電圧で作製したAl_3Hf陽極酸化膜キャパシタの熱劣化機構
- Al_3Hf金属間化合物の陽極酸化膜による高耐熱, 高信頼性薄膜キャパシタの検討
- CPM2000-82 (001)Si上(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf三層膜の連続単配向成長に及ぼすHf膜厚の影響
- Al_3Zr金属間化合物膜の陽極酸化とそれを応用した高信頼性薄膜キャパシタの作製
- Alメタライゼーション系へのAl_3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用
- Al_3Hf金属間化合物膜の結晶化過程と電気的特性
- n-(001)Si上への単配向Hf膜の作製条件の検討
- 反応性スパッタリング法によるRuO_2薄膜の作製とその電気特性
- Al-Si間におけるAl_3Zr/Zr積層膜の拡散バリヤ効果について
- VNx薄膜の作製条件の検討とその電気的特性
- CuTi- Cu_3Ti化合物合金膜の作製とCu/CuTi-Cu_3Ti/TiN/Siコンタクト系への拡散バリヤとしての適用
- ZrN薄膜の低温プロセスにおける作製
- Al/Al_3Zr/Zr/Siコンタクト構造の熱的安定性
- W薄膜によるCu表面の酸化保護
- Cu/Siコンタクト系におけるCu-Hfアモルファス合金膜の適用
- Cu/W-N/Si系におけるCuの結晶性とW-Nバリヤ特性
- Al/Al_3Nb/SiO_2構造におけるAl(111)面の高配向成長
- 化学量論的なZrN薄膜の形成過程の検討とキャラクタリゼーション
- オージェ電子分光分析によるAl_3Zr/Zr/Siコンタクト系における界面固相反応の検討
- Al_3Zr金属間化合物膜の結晶化過程とその電気的特性について
- C-6-6 Alとアルミナイド薄膜による化学的不活性界面の形成(C-6.電子部品・材料)