Alメタライゼーション系へのAl_3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用
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概要
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Hf_3Si_2シリサイドは、10^<-8>Ωcm^2台のコンタクト抵抗率を実現できる材料として注目されている。そこで、Hf膜をAlメタライゼーション技術に適用することによって、Hf_3Si_2/Si界面の実現と上部Alメタライゼーション層の保存を同時に達成するため、Al-Si間の拡散バリヤとしてHf膜とAl_3Hf/Hf積層膜を適用した場合の界面固相反応の挙動の違いを、XRD, AESおよびXPS分析によって比較検討した。その結果、Al_3Hf/Hf積層膜を介在させた場合は、AlとHf間の反応や拡散が抑制可能となり、Hf_3Si_2シリサイドの生成が確実となる420℃まで、Alオーバーレイヤを保存できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-23
著者
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
-
阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
新海 聡子
詫間電波高専
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
新海 聡子
北見工業大学 工学部 機能材料工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
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