(III)Si上にエピタキシャル成長させた(III)HfN膜と(III)Cu/(III)HfN積層膜のAFM観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
エピタキシャル(III)HfN膜及び(001)HfN膜と, それぞれのエピタキシャルHfN膜上にエピタキシャル成長させた(111)Cu膜及び単配向成長した(110)Cu膜の表面形態をAFMを用いて評価した。その結果、得られた各エピタキシャルHfN膜は極めて平坦であり、Si表面と同程度の表面粗さであった。また、連続エピタキシャル成長させた(III)Cu膜は、200nmの膜厚にも拘らず、表面粗さには数原子から数10原子層程度の高低差しかないことが判った。加えて、エピタキシャル(001)HfN膜上に単配向成長した(110)Cu膜の表面粗さは、(111)Cuの場合より更に平滑であった。従って、エピタキシャルHfN膜のCu-Si間への介在は、(111)HfN上ではEM耐性に優れた比較的平滑な(111)Cu膜が、(001)HfN上では更に平滑な(110)Cu膜が得られることから、有望な一方策と言える。
- 2001-07-26
著者
-
佐々木 克孝
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
新海 聡子
日本学術振興会特別研究員(PD)
-
新海 聡子
詫間電波高専
-
佐々木 克孝
北見工業大学
関連論文
- C-6-10 Ta/Hf積層陽極酸化膜キャパシタの損失特性と酸化過程の検討
- Al-Y合金薄膜に形成される表面酸化層のキャラクタリゼーションと形成過程の検討
- Al-Ti 合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Al-Y合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Nb/Si系の界面反応におけるmetal-richシリサイドの初期形成
- C-6-3 化学量論的なTaN薄膜の(100)Si上での室温エピタキシャル成長(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- Nb/Hf 2層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性
- Ta-Zr合金による陽極酸化膜キャパシタの電気的特性に及ぼす熱処理温度と酸化膜厚低減の影響
- C-6-8 Ta-Zr合金による熱的に安定な高誘電率陽極酸化膜キャパシタの作製
- C-6-7 Nb/Hf2層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性
- (III)Si上にエピタキシャル成長させた(III)HfN膜と(III)Cu/(III)HfN積層膜のAFM観察
- Al_3Ta陽極酸化膜キャパシタの作製とその耐熱性
- (111)Si上(111)Cu/(111)HfN2層膜の連続エピタキシャル成長と(111)HfN膜の拡張バリア特性
- CPM2000-90 NbドープSrTiO_3薄膜の膜質に及ぼすMgO基板表面処理とポストアニールの影響
- CPM2000-83 薄いZrN/Zr2層膜を介在させたAl/ZrN/Zr/Siコンタクト系の熱的安定性
- CPM2000-76 導電性RhO2薄膜の電気特性に及ぼす熱処理の影響
- CPM2000-72 WOx薄膜の形成過程とその電気及び光学特性
- Preparation of Hydrogen-Containing Ta_2O_5 Thin Films by Reactive Sputtering Using O_2 + H_2O Mixed Gas
- Effect of Substrate Temperature on Epitaxial Orientation of Rh Thin Films Sputtered on A-Plane Sapphire
- Control of Epitaxial Growth Plane of Rh Thin Films on A-Plane Sapphire by Sputter Deposition
- Oxidation and Morphology Change of Ru Films Caused by Sputter Deposition of Ta_2O_5 Films
- Effects of Sputtering Parameters on the Formation of Single-Oriented (002) Ti Film on Si
- Epitaxial Growth of (001)ZrN Thin Films on (001)Si by Low Temperature Process
- Epitaxial Growth of (001)Rh Thin Film on (001)MgO Single-Crystal Substrate by Sputtering
- Difference in Thermal Degradation Behavior of ZrO_2 and HfO_2 Anodized Capacitors
- Crystal Orientation Change of Ni Films by Sputtering in Ar-N_2 Mixed Gases
- Improvement of the Crystal Orientation and Surface Roughness of Ru Thin Films by Introducing Oxygen during Sputtering
- Realization of Sequential Epitaxial Growth of Cu/HfN Bilayered Films on (111) and (001) Si
- Epitaxial Ir Thin Film on (001) MgO Single Crystal Prepared by Sputtering
- Preparation of Low-Resistivity α-Ta Thin Films on (001) Si by Conventional DC Magnetron Sputtering
- Capacitor Property and Leakage Current Mechanism of ZrO_2 Thin Dielectric Films Prepared by Anodic Oxidation
- Highly Texrured (100) RuO_2/(001) Ru Multilayers Preparedly by Sputtering
- Electrical Properties of HfO_2 Thin Insulating Film Prepared by Anodic Oxidation
- C-Axis-Oriented Ru Thin Fillns Prepared by Sputtering in Ar and O_2 Gas Mixture : Surfaces, Interfaces, and Films
- Ta/Si系におけるシリサイド形成過程の検討
- 超高真空系で作製したMo/(100)Si系のシリサイド形成初期過程
- Alメタライゼーション系におけるAl_12Mo/Mo積層膜の拡散バリヤ効果
- (200)TiN高配向膜上への(111)Al高配向成長に及ぼすAl_3Ti中間介在層の影響
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- SiO2 上の Cu 配線に対する Zr 及び ZrN 拡散バリア特性の検討
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Ta_2N陽極酸化膜による耐熱性に優れた薄膜キャパシタの作製
- Al/Al_3Ti/Ti/Si 積層コンタクト構造の熱的安定性の検討
- 低化成電圧で作製したAl_3Hf陽極酸化膜キャパシタの熱劣化機構
- バルブメタルの金属間化合物のアノード酸化とコンデンサへの応用
- Al_3Hf金属間化合物の陽極酸化膜による高耐熱, 高信頼性薄膜キャパシタの検討
- Al_3Hf陽極酸化膜キャパシタの電気的特性と耐熱特性
- C-6-5 Ta/Hf積層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性
- オージェ電子分光を用いたCu/Ta_2Al/Ta/Siコンタクト構造の熱的安定性の検討
- Ta/Si系におけるシリサイド形成初期過程の検討
- Y添加Cu層を有するCu/TiN/Siコンタクト系のSi拡散挙動
- CPM2000-82 (001)Si上(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf三層膜の連続単配向成長に及ぼすHf膜厚の影響
- Al_3Zr金属間化合物膜の陽極酸化とそれを応用した高信頼性薄膜キャパシタの作製
- Alメタライゼーション系へのAl_3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用
- Al_3Hf金属間化合物膜の結晶化過程と電気的特性
- n-(001)Si上への単配向Hf膜の作製条件の検討
- 反応性スパッタリング法によるRuO_2薄膜の作製とその電気特性
- Al-Si間におけるAl_3Zr/Zr積層膜の拡散バリヤ効果について
- CuTi- Cu_3Ti化合物合金膜の作製とCu/CuTi-Cu_3Ti/TiN/Siコンタクト系への拡散バリヤとしての適用
- ZrN薄膜の低温プロセスにおける作製
- Al/Al_3Zr/Zr/Siコンタクト構造の熱的安定性
- Tiシリサイド相の変化がCu/CuTi_2/Ti/Siコンタクト系のSi界面安定性に及ぼす影響
- CuTi_2金属間化合物膜の作製とCu/CuTi_2/Siコンタクト構造への適用
- 周期的Al/Hf積層膜を陽極酸化した薄膜キャパシタの損失特性
- 周期的Al/Hf積層膜を陽極酸化した薄膜キャパシタの電気的特性
- A1/Ta/Hf多層陽極酸化膜キャパシタの損失特性と酸化過程
- Ta介在層によるAI/Hf2層陽極酸化膜キャパシタの特性改善
- (001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討
- 低化成電圧で作製したTa_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱特性
- 低化成電圧で作製したTa_2N陽極酸化膜キャパシタの熱安定性
- Cu/IVa遷移金属/Siコンタクト系における還移金属の拡散挙動
- CPM2000-71 Ta窒化物のTa-Al化合物膜への代替による薄膜キャパシタの容量低減の抑制効果
- Ta_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱要因と薄膜化の検討
- Ta_2N 陽極酸化膜キャパシタの耐熱性と酸化膜厚
- Al-W 合金膜の Cu 表面保護膜としての酸化特性
- Yシリサイドを介在させたCU_2Y/Siコンタクト系の熱的安定性の検討
- Cu_2Y/Siコンタクト系の熱的安定性とCuメタライゼーションへの適応性の検討
- Cu/Siコンタクト系におけるCu-Zrアモルファス合金膜の適用とZr系拡散バリヤの検討
- Al(001)/YSi2-x/Si(001)系における連続エピタキシャル成長
- 化学量論的なZrN薄膜の形成過程の検討とキャラクタリゼーション
- オージェ電子分光分析によるAl_3Zr/Zr/Siコンタクト系における界面固相反応の検討
- Al_3Zr金属間化合物膜の結晶化過程とその電気的特性について
- オージェ電子分光分析による合金膜のシリサイド形成初期過程の検討
- オージェ電子分光分析によるAl/Al_3Ta/TaN/Siコンタクト構造の熱的安定性