(001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討
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概要
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超高真空下の適切なスパッタ条件下で(001)及び(111)Si上に作製したHfN膜は、それぞれ(100)及び(111)面が単配向成長し、約27μΩcmの低い抵抗率が得られる。これらのHfN膜な、SiとHfNの小さなミスマッチに起因してヘテロエピタキシャル成長しているものと予測される。また、エピタキシャル成長した(111)HfN上にEM耐性に優れたAl(111)面を単配向成長させ得れば、Alメタライザーション技術の高信頼化が図れるものと期待できる。そこで我々は、この事を確認するためにSi上に堆積させたHfN膜をXRDの極点図形により評価した。その結果はHfN膜はHfN(100)[110]//Si(001)[110]及びHfN(111)[200]//Si(111)[200]の方位関係でエピタキシャル成長し、更にHfN膜上に堆積させたAlも単配向成長することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-29
著者
-
佐々木 克孝
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
新海 聡子
詫間電波高専
-
新海 聡子
北見工業大学 工学部 機能材料工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
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