C-6-3 化学量論的なTaN薄膜の(100)Si上での室温エピタキシャル成長(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
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概要
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- 2005-09-07
著者
-
佐々木 克孝
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
-
阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
茶畑 嘉仁
北見工業大学
-
新海 聡子
詫間電波高専
-
Abe Yoichi
Department Of Applied Science Tokyo Electrical Engineering College
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
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