移動体通信用低3次変調歪DFBレーザ
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概要
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移動体通信の分野において高周波域(〜1GHz)で低3次相互変調歪(IM_3)特性を有する1.3μm帯DFBレーザの開発が期待されている。今回、高周波帯におけるIM_3の低減のためには高f_r化が有効であることを示し、歪MQW活性層構造の最適化及び短共振器化により0.95GHz及び1.5GHzにおいてIM_3≦-80dBcを低注入電流(I_b-I_<th>=20mA)で実現し、更にはPHSで用いられる1.9GHzにおいてもIM_3≦-85dBcを実現した。また、DFBレーザにおける変調歪について動的軸方向ホールバーニング現象を取り入れた新しい計算モデルを提案し、変調歪のキャンセリング現象を見い出し、実験との良い一致を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-29
著者
-
大塚 信之
松下電器半導体センター
-
松井 康
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
竹中 直樹
松下電器半導体研究センター
-
大塚 信之
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
石野 正人
松下電器産業株式会社マルチメディア開発センター
-
鬼頭 雅弘
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
竹中 直樹
松下電器産業株式会社
-
松井 康
松下電子工業技術本部電子総合研究所
-
松井 康
松下電器産業(株) 半導体研究センター
-
佐藤 久直
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
石野 正人
松下電子工業
-
Otsuka Nobuyuki
Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
-
Otsuka Nobuyuki
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
-
Otsuka Nobuyuki
Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center
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