InGaAsP 歪量子井戸におけるPL発光特性の成長温度依存性
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概要
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歪量子井戸レーザの高速化や高出力化には、井戸層数(Nw)や歪量(Δa/a)の増大が効果的であるが、井戸層数が臨界値を超えた場合には、フォトルミネッセンス(PL)特性に半値幅の増大等の劣化を生ずる。今回、PL特性の劣化を示したサンプル(Nw=10,Δa/a=0.6%,基板温度Ts=580℃)に於いて、電子顕微鏡(TEM)による観察を行った結果、CuPtタイプのオーダリングが障壁層に形成されていることを確認した。成長温度を上昇した結果(Ts=600℃)、PL特性の劣化が抑制されるとともに、オーダリングは確認されなかった。さらに成長温度を上昇したサンプル(Δa/aが1.0%,Ts=600℃)では、井戸層数を30層とした場合に於いてもPL特性の劣化は認められず、井戸層数の臨界値が増大した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-21
著者
-
大塚 信之
松下電器半導体センター
-
松井 康
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
大塚 信之
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
石野 正人
松下電器産業株式会社マルチメディア開発センター
-
鬼頭 雅弘
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
松井 康
松下電子工業技術本部電子総合研究所
-
松井 康
松下電器産業(株) 半導体研究センター
-
藪内 康文
(株)松下テクノリサーチ
-
石野 正人
松下電子工業
-
藪内 康文
株式会社松下テクノリサーチ
-
Otsuka Nobuyuki
Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
-
Otsuka Nobuyuki
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
-
Otsuka Nobuyuki
Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center
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