低しきい値、高効率特性テーパ活性ストライプ型1.3μm帯狭放射角レーザ

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概要

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アクセス系光ファイバネットワークにおいて重要となる受光/発光デバイスの低コスト化のためには、狭いビーム放射角を有する半導体レーザの実現が重要である。我々は、付加的なビーム変換領域を必要とせず、通常の光通信用半導体レーザと同一のプロセスで作製可能となる、水平テーパ状の活性ストライプを有する半導体レーザを新たに提案した。さらに、1.3μm帯半導体レーザにおいてこのテーパ活性ストライプを適用し、高温特性改善を目的として活性層構造について検討を行った。その結果、低しきい値、高効率かつ狭放射角特性を実現するための設計方針を明らかにするとともに、85℃において、〜18mA、〜0.4mW/mAのしきい値電流、スロープ効率が得られ、高温における低しきい値、高効率特性が実現できた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-08-21

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