X線光電子分光法によるa-Si:H/ITO,SnO_2界面の研究
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
-
26a-Q-6 123、124系酸化物におけるPrのXPS
-
5p-YE-5 高温超伝導酸化物におけるBa、Sr、Ca、およびYの内殻レベルの結合エネルギー
-
5p-YE-3 Bi-2201系酸化物の電子状態変化の電子分光法による研究
-
30p-PSB-34 Bi_Sr_CuO_yにおける電子状態変化の電子分光による研究
-
26p-PSA-53 YBa_2Cu_3O_Br_x超伝導体のXPSによる研究
-
25a-Q-5 Bi_2Sr_2Ca_Cu_nO_y(N=1〜3)へのヨウ素のインターカレーションと電荷移動
-
28p-PS-82 Bi系超洋伝導酸化物におけるXPS Ols準位の解析
-
光電子分光,逆光電子分光によるBi_2+xSr_2-xCuO_yの電子状態
-
Bi_2(Sr,Ca)_3Cu_2O_yのCuサイトへのCoイオン置換とその電子状態
-
28p-APS-24 BaPb_xBi_O_の光電子分光
-
27p-APS-101 XPSによるK_xC_の電子状態の研究
-
25a-PS-70 Pb系超伝導体の光電子分光
-
酸素量を変えたBi_2Sr_2CaCu_2O_y超伝導体の光電子分光
-
2p-TC-1 Bi系超伝導体における真空加熱処理効果
-
31p-PS-63 Bi-O系超伝導体における電子状態
-
6p-ZA-4 Nd_Ce_xCuO_における光電子分光
-
次世代デバイス用ゲート絶縁膜としてのハフニウム系薄膜の表面分析法を用いた評価
-
電子分光法による界面の解析
-
(NH_4)_2S_x溶液処理したInAs(lll)表面の研究
-
(NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
-
X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
-
Bi_2(Sr_1-_xLa_x)_2CoO_yセラミックの作製と電子状態の研究
-
高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(II)
-
H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態
-
高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InAs(001)表面の研究
-
ターシャリブチル燐,トリエチル燐のSi(001)表面上での分解過程
-
高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
-
(NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
-
電子分光法によるトリメチル燐,トリエチル燐のSi(001),GaP(001)への吸着と分解の研究
-
Si表面におけるターシャリブチルホスフィン(TBP)の吸着と分解過程の研究
-
高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InP(001)表面の研究
-
XPS,UPSによるトリエチルインジウムのGaPへの吸着と分解の研究
-
Zn-Mn合金電気めっきの皮膜構造解析
-
熱延鋼板における溶融亜鉛めっき合金化挙動
-
Si含有鋼板の表面構造と溶融亜鉛めっき密着性の関係
-
オージェ電子分光法定量分析における装置補正因子
-
酸化物試料の X 線光電子分光法による定量分析
-
イオンスパッタリングによる酸化物の X 線光電子ペクトルの変化
-
深さ方向分析におけるイオンスパッタリング収率の測定
-
オージェ電子分光法による状態分析のためのスペクトル微細構造観察
-
321 鉄-亜鉛合金電気めっき鋼板界面の分析(元素分析, 表面分析, 分析, 日本鉄鋼協会第 108 回(秋季)講演大会)
-
X線光電子分光法によるa-Si:H/ITO,SnO_2界面の研究
-
シリコンのグロー放電プラズマ酸化膜のX線光電子分光法による評価
-
ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
-
近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
-
404 Zn-Mn 合金電気めっき層の結晶構造と加熱による相変化(表面解析, 表面分析, 元素分析, 分析・表面処理, 日本鉄鋼協会第 113 回(春季)講演大会)
-
エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
-
Zn-13%Ni 電気合金めつき鋼板の腐食生成物の各種表面分析機器による解析(表面処理分析小特集)
-
26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
講義 III-V族化合物半導体表面及び硫黄処理表面分析--組成、構造、電子状態
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
-
ガラス管内部形状の高精度加工 : ホロ・カソードジェット型プラズマ源の制作
-
12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
-
5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
-
a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
-
Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
-
2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
-
a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
-
SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
-
SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
-
SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
-
5)アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
-
アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
-
6)多元蒸着により作製したSrSe : Ce薄膜の構造および発光特性(情報ディスプレイ研究会)
-
5)ZnS : Tm, F薄膜の電荷補償(情報ディスプレイ研究会)
-
窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
-
(NH_4)_2S_x処理したGaAs表面のX線光電子分光法による研究
-
456 Zn-Mn 合金電気めっき層の構造解析(電気 Zn 系めつき・化成処理, 分析・表面処理, 日本鉄鋼協会第 111 回(春季)講演大会)
-
1)アモルファスシリコン受光デバイスにおける電極界面の検討(情報入力研究会)
-
アモルファスシリコン受光デバイスにおける電極界面の検討
-
エリプソメトリによる薄膜堆積初期過程の「その場」計測
-
近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
-
ガス滴定法による中性原子ラジカルの計測
-
近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
-
近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
-
近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
-
金属の表面分析の現状と課題 (2)(共同研究会鉄鋼分析部会表面分析小委員会)
-
金属の表面分析の現状と課題 (1)(共同研究会鉄鋼分析部会表面分析小委員会)
-
高分解能電子エネルギー損失分光器(HREELS)の作製とトリメチルホスフィンのSi(111)表面での分解過程への応用
-
表面状態の解析-33-紫外光電子分光法(UPS),逆光電子分光法(IPES)
-
高分解能紫外逆光電子分光装置の開発
-
超高真空走査ケルビンプローブ顕微鏡による原子レベルの電位像観察
-
International Symposium on Surface Nano-Control of Environmental Catalysts and Related Materials (6th Iketai Conference)-Toward Understanding Material Surfaces and Surface Reactions in an Atomic/Molecular Scale-報告
-
「オーストラリア-アジアXPSシンポジウム1995」報告
-
企画および講演大会の15年の歩み
-
機器分析解説シリ-ズ-8-紫外線光電子分光装置
-
X線光電子分光法(XPS)の原理と機械工学への応用
-
表面分析講座-9-オ-ジェ電子分光法(AES,SAM)
-
電子分光法による表面・界面の解析 (物理表面の物理分析技術)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク