次世代デバイス用ゲート絶縁膜としてのハフニウム系薄膜の表面分析法を用いた評価
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概要
著者
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安田 安生
静岡大学電子工学研究所
-
福田 安生
静岡大学電子工学研究所
-
福田 安生
静岡大学電子科学研究科
-
福田 安生
静岡大学大学院電子科学研究科
-
中村 誠
静岡大学大学院電子科学研究科
-
下村 勝
静岡大学大学院電子科学研究科
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福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
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福田 安生
静岡大 電子工研
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