電子分光法によるトリメチル燐,トリエチル燐のSi(001),GaP(001)への吸着と分解の研究
スポンサーリンク
概要
著者
-
安田 安生
静岡大学電子工学研究所
-
福田 安生
静岡大学電子科学研究科
-
福田 安生
静岡大学大学院電子科学研究科
-
鈴木 佳子
静岡大学電子工学研究所
-
福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
-
鈴木 佳子
静大
-
眞田 則明
静岡大学大学院電子科学研究科
-
村田 純一
静岡大学大学院電子科学研究科
関連論文
- 26a-Q-6 123、124系酸化物におけるPrのXPS
- 5p-YE-5 高温超伝導酸化物におけるBa、Sr、Ca、およびYの内殻レベルの結合エネルギー
- 5p-YE-3 Bi-2201系酸化物の電子状態変化の電子分光法による研究
- 30p-PSB-34 Bi_Sr_CuO_yにおける電子状態変化の電子分光による研究
- 26p-PSA-53 YBa_2Cu_3O_Br_x超伝導体のXPSによる研究
- 25a-Q-5 Bi_2Sr_2Ca_Cu_nO_y(N=1〜3)へのヨウ素のインターカレーションと電荷移動
- 28p-PS-82 Bi系超洋伝導酸化物におけるXPS Ols準位の解析
- 光電子分光,逆光電子分光によるBi_2+xSr_2-xCuO_yの電子状態
- Bi_2(Sr,Ca)_3Cu_2O_yのCuサイトへのCoイオン置換とその電子状態
- 28p-APS-24 BaPb_xBi_O_の光電子分光
- 27p-APS-101 XPSによるK_xC_の電子状態の研究
- 25a-PS-70 Pb系超伝導体の光電子分光
- 酸素量を変えたBi_2Sr_2CaCu_2O_y超伝導体の光電子分光
- 2p-TC-1 Bi系超伝導体における真空加熱処理効果
- 31p-PS-63 Bi-O系超伝導体における電子状態
- 6p-ZA-4 Nd_Ce_xCuO_における光電子分光
- 次世代デバイス用ゲート絶縁膜としてのハフニウム系薄膜の表面分析法を用いた評価
- 電子分光法による界面の解析
- (NH_4)_2S_x溶液処理したInAs(lll)表面の研究
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- Bi_2(Sr_1-_xLa_x)_2CoO_yセラミックの作製と電子状態の研究
- 高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(II)
- H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InAs(001)表面の研究
- ターシャリブチル燐,トリエチル燐のSi(001)表面上での分解過程
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 電子分光法によるトリメチル燐,トリエチル燐のSi(001),GaP(001)への吸着と分解の研究
- Si表面におけるターシャリブチルホスフィン(TBP)の吸着と分解過程の研究
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InP(001)表面の研究
- XPS,UPSによるトリエチルインジウムのGaPへの吸着と分解の研究
- Zn-Mn合金電気めっきの皮膜構造解析
- 熱延鋼板における溶融亜鉛めっき合金化挙動
- Si含有鋼板の表面構造と溶融亜鉛めっき密着性の関係
- オージェ電子分光法定量分析における装置補正因子
- 酸化物試料の X 線光電子分光法による定量分析
- イオンスパッタリングによる酸化物の X 線光電子ペクトルの変化
- 深さ方向分析におけるイオンスパッタリング収率の測定
- オージェ電子分光法による状態分析のためのスペクトル微細構造観察
- 321 鉄-亜鉛合金電気めっき鋼板界面の分析(元素分析, 表面分析, 分析, 日本鉄鋼協会第 108 回(秋季)講演大会)
- X線光電子分光法によるa-Si:H/ITO,SnO_2界面の研究
- シリコンのグロー放電プラズマ酸化膜のX線光電子分光法による評価
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 404 Zn-Mn 合金電気めっき層の結晶構造と加熱による相変化(表面解析, 表面分析, 元素分析, 分析・表面処理, 日本鉄鋼協会第 113 回(春季)講演大会)
- Zn-13%Ni 電気合金めつき鋼板の腐食生成物の各種表面分析機器による解析(表面処理分析小特集)
- 27a-PB-2 ターシャリブチルホスフィン(TBP)のSi(001)上での分解機構の研究
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 講義 III-V族化合物半導体表面及び硫黄処理表面分析--組成、構造、電子状態
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH_4)_2S_x処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 5)アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 窒素イオンビームによるInAs(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInAs(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- (NH_4)_2S_x処理したGaAs表面のX線光電子分光法による研究
- ZnSヘテロエピタキシャル薄膜の構造と電子線照射の効果
- ZnS:Ag,Cl薄膜EL素子の発光特性に及ぼすY_2O_3絶縁層の影響
- a-Si_1-xC_x:H薄膜のXPS,ESRによる評価
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- XPSによるa-Si_1-xC_x:H薄膜の研究
- Si上のCdS膜のエピタキシ-に及ぼす基板表面の影響 (第24回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- Si基板へ真空蒸着したZnS薄膜の結晶性
- CVD法によるSi(111)基板上へのCdS薄膜のエピタキシャル成長
- 456 Zn-Mn 合金電気めっき層の構造解析(電気 Zn 系めつき・化成処理, 分析・表面処理, 日本鉄鋼協会第 111 回(春季)講演大会)
- 金属の表面分析の現状と課題 (2)(共同研究会鉄鋼分析部会表面分析小委員会)
- 金属の表面分析の現状と課題 (1)(共同研究会鉄鋼分析部会表面分析小委員会)
- 討 28 X 線光電子分光法 (XPS) による状態分析 : 鉄鋼共同研究会分析部会表面分析小委員会報告(V 鉄鋼における表面分析の現状と問題点, 第 111 回 講演大会討論会講演概要)
- 討 25 Ni(13%)-Zn 電気合金めっき腐食層の AES, XPS X 線回折による分析(IV 薄板・表面処理鋼板の表面解析とその応用, 第 109 回 講演大会討論会講演概要)
- 高分解能電子エネルギー損失分光器(HREELS)の作製とトリメチルホスフィンのSi(111)表面での分解過程への応用
- 表面状態の解析-33-紫外光電子分光法(UPS),逆光電子分光法(IPES)
- 高分解能紫外逆光電子分光装置の開発
- 超高真空走査ケルビンプローブ顕微鏡による原子レベルの電位像観察
- International Symposium on Surface Nano-Control of Environmental Catalysts and Related Materials (6th Iketai Conference)-Toward Understanding Material Surfaces and Surface Reactions in an Atomic/Molecular Scale-報告
- 「オーストラリア-アジアXPSシンポジウム1995」報告
- 企画および講演大会の15年の歩み
- 機器分析解説シリ-ズ-8-紫外線光電子分光装置
- X線光電子分光法(XPS)の原理と機械工学への応用
- 表面分析講座-9-オ-ジェ電子分光法(AES,SAM)
- 電子分光法による表面・界面の解析 (物理表面の物理分析技術)
- Si (110) 清浄表面のMEED観察
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- a-SiHx : H/ITO, a-SiNx : H/Pt界面のXPSによる観察
- 負に帯電した石英ガラス基板上のa-Si1-xCx : H薄膜におけるXPSスペクトルのシフト
- Si上のCdS膜のエピタキシーに及ぼす基板表面の影響
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- Si基板上のZnS蒸着膜の構造とモルフォロジ-