講義 III-V族化合物半導体表面及び硫黄処理表面分析--組成、構造、電子状態
スポンサーリンク
概要
著者
-
安田 安生
静岡大学電子工学研究所
-
福田 安生
静岡大学電子工学研究所
-
福田 安生
静岡大学電子科学研究科
-
福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
-
下村 勝
静岡大電子研
-
福田 安生
静岡大 電子工研
-
下村 勝
静岡大 大学院電子科学研究科
関連論文
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- 26a-Q-6 123、124系酸化物におけるPrのXPS
- 5p-YE-5 高温超伝導酸化物におけるBa、Sr、Ca、およびYの内殻レベルの結合エネルギー
- 5p-YE-3 Bi-2201系酸化物の電子状態変化の電子分光法による研究
- 30p-PSB-34 Bi_Sr_CuO_yにおける電子状態変化の電子分光による研究
- 26p-PSA-53 YBa_2Cu_3O_Br_x超伝導体のXPSによる研究
- 25a-Q-5 Bi_2Sr_2Ca_Cu_nO_y(N=1〜3)へのヨウ素のインターカレーションと電荷移動
- 28p-PS-82 Bi系超洋伝導酸化物におけるXPS Ols準位の解析
- 光電子分光,逆光電子分光によるBi_2+xSr_2-xCuO_yの電子状態
- Bi_2(Sr,Ca)_3Cu_2O_yのCuサイトへのCoイオン置換とその電子状態
- 28p-APS-24 BaPb_xBi_O_の光電子分光
- 27p-APS-101 XPSによるK_xC_の電子状態の研究
- 25a-PS-70 Pb系超伝導体の光電子分光
- 酸素量を変えたBi_2Sr_2CaCu_2O_y超伝導体の光電子分光
- 2p-TC-1 Bi系超伝導体における真空加熱処理効果
- 31p-PS-63 Bi-O系超伝導体における電子状態
- 6p-ZA-4 Nd_Ce_xCuO_における光電子分光
- 次世代デバイス用ゲート絶縁膜としてのハフニウム系薄膜の表面分析法を用いた評価
- 電子分光法による界面の解析
- (NH_4)_2S_x溶液処理したInAs(lll)表面の研究
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- Bi_2(Sr_1-_xLa_x)_2CoO_yセラミックの作製と電子状態の研究
- 高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(II)
- H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InAs(001)表面の研究
- ターシャリブチル燐,トリエチル燐のSi(001)表面上での分解過程
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 電子分光法によるトリメチル燐,トリエチル燐のSi(001),GaP(001)への吸着と分解の研究
- Si表面におけるターシャリブチルホスフィン(TBP)の吸着と分解過程の研究
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InP(001)表面の研究
- XPS,UPSによるトリエチルインジウムのGaPへの吸着と分解の研究
- Zn-Mn合金電気めっきの皮膜構造解析
- 熱延鋼板における溶融亜鉛めっき合金化挙動
- Si含有鋼板の表面構造と溶融亜鉛めっき密着性の関係
- オージェ電子分光法定量分析における装置補正因子
- 酸化物試料の X 線光電子分光法による定量分析
- イオンスパッタリングによる酸化物の X 線光電子ペクトルの変化
- 深さ方向分析におけるイオンスパッタリング収率の測定
- オージェ電子分光法による状態分析のためのスペクトル微細構造観察
- 321 鉄-亜鉛合金電気めっき鋼板界面の分析(元素分析, 表面分析, 分析, 日本鉄鋼協会第 108 回(秋季)講演大会)
- X線光電子分光法によるa-Si:H/ITO,SnO_2界面の研究
- シリコンのグロー放電プラズマ酸化膜のX線光電子分光法による評価
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 404 Zn-Mn 合金電気めっき層の結晶構造と加熱による相変化(表面解析, 表面分析, 元素分析, 分析・表面処理, 日本鉄鋼協会第 113 回(春季)講演大会)
- 光電子回折によるAu(111)上メチルチオレートの吸着構造解析
- Zn-13%Ni 電気合金めつき鋼板の腐食生成物の各種表面分析機器による解析(表面処理分析小特集)
- 27a-PB-2 ターシャリブチルホスフィン(TBP)のSi(001)上での分解機構の研究
- 光電子回折によるシリコン表面に吸着したベンゼンおよびピラジンの構造解析
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 講義 III-V族化合物半導体表面及び硫黄処理表面分析--組成、構造、電子状態
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH_4)_2S_x処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
- (NH_4)_2S_x処理したGaAs表面のX線光電子分光法による研究
- 456 Zn-Mn 合金電気めっき層の構造解析(電気 Zn 系めつき・化成処理, 分析・表面処理, 日本鉄鋼協会第 111 回(春季)講演大会)
- 金属の表面分析の現状と課題 (2)(共同研究会鉄鋼分析部会表面分析小委員会)
- 金属の表面分析の現状と課題 (1)(共同研究会鉄鋼分析部会表面分析小委員会)
- 討 28 X 線光電子分光法 (XPS) による状態分析 : 鉄鋼共同研究会分析部会表面分析小委員会報告(V 鉄鋼における表面分析の現状と問題点, 第 111 回 講演大会討論会講演概要)
- 討 25 Ni(13%)-Zn 電気合金めっき腐食層の AES, XPS X 線回折による分析(IV 薄板・表面処理鋼板の表面解析とその応用, 第 109 回 講演大会討論会講演概要)
- 高分解能電子エネルギー損失分光器(HREELS)の作製とトリメチルホスフィンのSi(111)表面での分解過程への応用
- 表面状態の解析-33-紫外光電子分光法(UPS),逆光電子分光法(IPES)
- 高分解能紫外逆光電子分光装置の開発
- 超高真空走査ケルビンプローブ顕微鏡による原子レベルの電位像観察
- International Symposium on Surface Nano-Control of Environmental Catalysts and Related Materials (6th Iketai Conference)-Toward Understanding Material Surfaces and Surface Reactions in an Atomic/Molecular Scale-報告
- 「オーストラリア-アジアXPSシンポジウム1995」報告
- 企画および講演大会の15年の歩み
- 機器分析解説シリ-ズ-8-紫外線光電子分光装置
- X線光電子分光法(XPS)の原理と機械工学への応用
- 清浄およびH_2S処理GaP(111)の表面構造と電子状態
- 表面分析講座-9-オ-ジェ電子分光法(AES,SAM)
- 電子分光法による表面・界面の解析 (物理表面の物理分析技術)
- ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)