25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-09-10
著者
-
吉村 浩司
高エ研
-
虻川 匡司
東北大理
-
虻川 匡司
東北大多元研
-
虻川 匡司
東北大学多元物質科学研究所
-
虻川 匡司
東北大科研
-
河野 省三
東北大科研
-
河野 省三
東北大多元研
-
下村 勝
静岡大電子研
-
Yeom H.W
東北大理学部
-
河野 省三
東北大・理
-
下村 勝
東北大科研
-
吉村 浩司
東北大科研
-
Oh J
東大工
-
Yeom H
東大工
-
Yeom H.-w.
東北大 科研
-
Yeom H.-w.
東北大理:(現)東大理
-
河野 省三
東北大
-
下村 勝
静岡大 大学院電子科学研究科
-
虻川 匡司
東北大学多原研
-
虻川 匡司
東北大学理
関連論文
- 21pRE-13 強磁場中における金属薄膜のα線に対する阻止能変化の測定(放射線物理(エネルギー付与過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 27aSE-7 強磁場中におけるα線のエネルギー損失変化の測定(27aSE 加速器・イオン源・標的,実験核物理領域)
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- 5p-YE-3 Bi-2201系酸化物の電子状態変化の電子分光法による研究
- 30p-PSB-34 Bi_Sr_CuO_yにおける電子状態変化の電子分光による研究
- 光電子分光,逆光電子分光によるBi_2+xSr_2-xCuO_yの電子状態
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態
- Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
- Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
- 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
- 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
- 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
- 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
- 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
- 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
- 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
- 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
- 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
- 2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
- 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
- 光電子回折によるAu(111)上メチルチオレートの吸着構造解析
- 27a-PB-11 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散の温度依存性
- 27a-PB-10 Surface structures and interface formation of In (Al) adsorption on Si (001) 2x1 studied by photoelectron spectroscopy
- 21pZB-1 BESS-Polar II PMT用気密容器の開発 : 低温低圧動作試験(21pZB 光検出器・v検出器・ビームライン,素粒子実験領域)
- 22pZK-11 BESS-PolarII実験 : 南極二周回飛行に向けた超伝導マグネットの開発と性能評価(22pZK 高・超高エネルギー宇宙線,宇宙線・宇宙物理領域)
- 22pZK-10 BESS Polar-II実験 : 概要と準備状況(22pZK 高・超高エネルギー宇宙線,宇宙線・宇宙物理領域)
- 光電子回折によるシリコン表面に吸着したベンゼンおよびピラジンの構造解析
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 講義 III-V族化合物半導体表面及び硫黄処理表面分析--組成、構造、電子状態
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 30p-D-12 Si(111)√×√-Biの角度分解UPS
- 30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
- 1p-S-11 Au/Si(111)表面の回折XPSII
- 1p-S-2 Si(111)√×√-Gaの角度分解UPS
- 4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
- 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
- 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
- 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
- 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
- 30a-A-7 Ag(110)表面の回折XPS
- 4p-NM-7 Sm,Eu,Gd,Ybの表面4f準位-I;SOR,UPS
- 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究
- 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態
- 11aSK-5 BESS-Polar 用 Middle TOF カウンターのビームテストによる性能評価
- 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
- 科学解説 CVD成長ダイヤモンド表面の電子分光・回折・顕微鏡による局所分析
- 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
- 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
- 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
- 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
- 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価
- 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
- 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
- 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
- 電子回折による波数空間測定
- 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
- 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
- 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
- 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
- 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
- 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
- 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法
- 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
- 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
- 光電子回折による半導体表面構造解析
- 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pGF-12 COMET実験のためのMPPC読み出しによる電磁カロリーメータの開発(26pGF アトラス検出器・カロリメータ・その他,素粒子実験領域)
- 25pGS-4 地上ガンマ線望遠鏡への応用のためのMPPCの夜光に対する応答(25pGS X・γ線(大気チェレンコフ・X線衛星など),宇宙線・宇宙物理領域)
- Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
- 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
- 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces
- 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
- アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態
- 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 熱散漫散乱を用いた表面構造解析
- 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
- 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFN-7 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクスII(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXZA-3 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-5x2-Au表面の構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-4 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√7×√3表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-2 ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)