25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-03-03

著者

• 虻川 匡司

  東北大理

• 虻川 匡司

  東北大多元研

• 虻川 匡司

  東北大学多元物質科学研究所

• 佐藤 和義

  東北大学多元研

• 虻川 匡司

  東北大学多原研

• 虻川 匡司

  東北大学理

関連論文

• 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
• 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
• (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
• Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
• Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
• 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
• 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
• 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
• 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
• 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
• 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
• 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
• 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
• 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
• 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
• 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
• 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
• 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
• 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
• 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
• 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
• 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
• 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
• 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
• 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
• 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
• 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
• 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究
• 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態
• 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
• 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
• 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
• 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
• 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
• 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価
• 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
• 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
• 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
• 電子回折による波数空間測定
• 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
• 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
• 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
• 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
• 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
• 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
• 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法
• 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
• 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
• 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
• 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
• 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces
• 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
• アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態
• 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 熱散漫散乱を用いた表面構造解析
• 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
• 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFN-7 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクスII(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXZA-3 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-5x2-Au表面の構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)
• 27aJB-4 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√7×√3表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aJB-2 ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク