31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
-
25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
-
23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
-
29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
-
3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
-
25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
-
25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
-
電子回折による波数空間測定
-
28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
-
熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
-
26a-P-12 Si(111)√×√,Sb表面のXPD
-
30p-BPS-18 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析II
-
24p-R-10 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析
-
4a-PS-41 Si(111)表面上のInの移動
-
30a-TA-8 UHV-SEMによるIn/Si(111)表面の研究
-
3a-C4-12 超高真空SEM装置の試作とAg/Si(111)表面
-
4a-PS-42 Si(111)4×1-1n表面の構造解析
-
表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
-
22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
熱散漫散乱を用いた表面構造解析
-
Si (001) 表面へのアルカリ金属吸着
-
22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)
-
31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)
-
27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
-
29a-TJ-3 Si(111)√3x√3-Ag表面のXPDの再解析(29aTJ 表面・界面)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク