表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
スポンサーリンク
概要
著者
-
虻川 匡司
東北大理
-
高桑 雄二
東北大科研
-
虻川 匡司
東北大多元研
-
虻川 匡司
東北大学多元物質科学研究所
-
小川 修一
東北大学多元物質科学研究所
-
小川 修一
東北大学 多元物質科学研究所
-
高桑 雄二
東北大学・科学計測研究所
-
虻川 匡司
東北大学多原研
-
虻川 匡司
東北大学理
関連論文
- 放射光討論会「朝まで生テレビ」 -今, 何が問題か? : 物質科学編-
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
- Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
- 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
- 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
- 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
- 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
- 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
- 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
- CVD成長多層グラフェン膜の顕微ラマン分光とバルク敏感XPSによる評価
- 超音速酸素分子ビームによる並進運動エネルギー誘起Ti(0001)表面酸化反応
- 超音速窒素分子ビームを用いたTi(0001)表面窒化反応のリアルタイム光電子分光観察
- Si(001)表面酸化過程のリアルタイム光電子分光観察 : 仕事関数と界面電子状態
- SiとTi表面での極薄酸化膜形成のリアルタイム表面分析 (特集 酸化物表面分析における最近の展開)
- 高輝度・高分解能放射光で見えてきた表面化学反応ダイナミクス : 超音速O_2分子線で誘起される表面酸化反応のその場光電子分光
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の観察
- 15aPS-23 極薄 Ti 酸化膜の分解過程のリアルタイム光電子分光観察(領域 9)
- 13aXF-2 Si(001) 表面酸化様式に依存した極薄酸化膜分解過程の「その場」観察(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- Ti(0001)表面酸化における極薄酸化膜成長と酸化状態
- Si(001)とSi(111)表面の極薄酸化膜形成過程の比較
- 22aYE-9 Ti(0001) 表面酸化における極薄酸化膜形成過程のリアルタイム計測
- 20pYD-8 Si(001) 表面での初期酸化過程への 2×1/1×2 分域比の影響
- 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27a-PB-10 Surface structures and interface formation of In (Al) adsorption on Si (001) 2x1 studied by photoelectron spectroscopy
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- Si熱酸化の統合反応モデル
- 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
- 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
- 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
- 固体表面での光励起反応の基礎課程
- 光電子分光法による半導体プロセスの高温「その場」観察
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- シリコン気相成長中の表面電子状態
- ガスソ-ス分子線エピタキシ-によるダイヤモンド成長
- ダイヤモンドの気相成長機構
- 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
- Si(100)-(2×1) 表面の初期酸化過程における放出Si原子挙動の走査型トンネル顕微鏡観察
- 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
- 26pL-2 高輝度放射光によるリアルタイム光電子分光 : 半導体表面反応のその場観察
- 4p-NM-7 Sm,Eu,Gd,Ybの表面4f準位-I;SOR,UPS
- 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
- 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
- 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
- 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
- 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
- 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
- 電子回折による波数空間測定
- 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
- 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
- シリコンMBE成長中の光電子分光強度振動
- 2a-YF-9 Si気相成長における結晶欠陥発生と表面反応
- 極薄Cr基シード層への酸素暴露による薄膜媒体の結晶粒制御 : 極薄Cr基シードの酸素親和性と粒径微細化効果との関係
- 薄膜媒体における諸特性の極薄Cr基シード層組成依存性 : 極薄Cr基シードの融点及び成長様式と媒体の微細構造との関係
- 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
- 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
- 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
- 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
- 7p-E-5 気相成長における表面反応の電子励起-Siとダイヤモンド
- 光電子制御プラズマ照射による金属基板表面への影響
- 27a-PS-30 ダイヤモンドC(100)表面における水素分子の解離吸着に関する第一原理計算
- 28aYQ-4 ダイヤモンドC(100)表面への水素原子の表面析出に関する第一原理計算
- 25pWD-11 ダイヤモンドC(100)表層部での水素の挙動
- 23pZN-1 はじめに : 問題提起と議論の焦点
- 27aW-7 ダイヤモンド表面における水素原子の挙動に関する第一原理計算
- 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法
- 7p-YH-6 ダイヤモンド・ホモエピタキシー成長機構
- 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
- 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
- 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 光電子制御プラズマ照射による金属基板表面への影響
- Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
- 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長 : 結晶性の放電条件依存(配線・実装技術と関連材料技術)
- 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 熱散漫散乱を用いた表面構造解析
- 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
- 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET (電子デバイス)
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察 (第31回表面科学学術講演会特集号(2))
- C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察
- 18pFN-7 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクスII(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXZA-3 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-5x2-Au表面の構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-4 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√7×√3表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-2 ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)