7p-YH-6 ダイヤモンド・ホモエピタキシー成長機構
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
関連論文
- 放射光討論会「朝まで生テレビ」 -今, 何が問題か? : 物質科学編-
- Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
- Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
- 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
- 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
- 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
- 15aPS-23 極薄 Ti 酸化膜の分解過程のリアルタイム光電子分光観察(領域 9)
- 22aYE-9 Ti(0001) 表面酸化における極薄酸化膜形成過程のリアルタイム計測
- 27a-PB-10 Surface structures and interface formation of In (Al) adsorption on Si (001) 2x1 studied by photoelectron spectroscopy
- Si熱酸化の統合反応モデル
- 固体表面での光励起反応の基礎課程
- 光電子分光法による半導体プロセスの高温「その場」観察
- シリコン気相成長中の表面電子状態
- ガスソ-ス分子線エピタキシ-によるダイヤモンド成長
- ダイヤモンドの気相成長機構
- 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
- 26pL-2 高輝度放射光によるリアルタイム光電子分光 : 半導体表面反応のその場観察
- 4p-NM-7 Sm,Eu,Gd,Ybの表面4f準位-I;SOR,UPS
- 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
- 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
- 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
- シリコンMBE成長中の光電子分光強度振動
- 2a-YF-9 Si気相成長における結晶欠陥発生と表面反応
- 極薄Cr基シード層への酸素暴露による薄膜媒体の結晶粒制御 : 極薄Cr基シードの酸素親和性と粒径微細化効果との関係
- 薄膜媒体における諸特性の極薄Cr基シード層組成依存性 : 極薄Cr基シードの融点及び成長様式と媒体の微細構造との関係
- 7p-E-5 気相成長における表面反応の電子励起-Siとダイヤモンド
- 27a-PS-30 ダイヤモンドC(100)表面における水素分子の解離吸着に関する第一原理計算
- 28aYQ-4 ダイヤモンドC(100)表面への水素原子の表面析出に関する第一原理計算
- 25pWD-11 ダイヤモンドC(100)表層部での水素の挙動
- 23pZN-1 はじめに : 問題提起と議論の焦点
- 27aW-7 ダイヤモンド表面における水素原子の挙動に関する第一原理計算
- 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法
- 7p-YH-6 ダイヤモンド・ホモエピタキシー成長機構
- 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
- 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)