虻川 匡司 | 東北大理
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概要
関連著者
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虻川 匡司
東北大理
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虻川 匡司
東北大学多原研
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岡根 哲夫
東北大理
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遠田 義晴
東北大通研
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岡根 哲夫
原子力機構:spring-8
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柿崎 明人
東大物性研
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木下 豊彦
東大物性研
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石井 武比古
東大物性研
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佐藤 繁
東北大院理
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佐藤 繁
東北大理
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下村 勝
静岡大電子研
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坂本 統徳
電総研
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東北大理
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柏倉 隆之
宇大工
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下村 勝
静岡大 大学院電子科学研究科
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佐々木 泰孝
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東北大学多元物質科学研究所
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高橋 伸彰
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佐藤 俊介
東北大多元研
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藤崎 大
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吉村 浩司
高エ研
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大阪大学基礎工学部物性物理工学科
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TAMASAKU Kenji
SPring-8/Riken
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窪田 政一
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坂本 一之
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加藤 博雄
弘前大理工
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Tamasaku Kenji
Superconductivity Research Course University Of Tokyo
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Superconductivity Research Course The Niversity Of Tokyo
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静岡大学電子工学研究所
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静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
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福田 安生
静岡大学電子科学研究科
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福田 安生
静岡大学大学院電子科学研究科
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福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
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坂本 一之
東北大院理
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坂木 一之
東北大院理
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Park Chon-Yun
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Yu Sueng-Woo
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Kang Kum-A
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坂本 邦博
電総研
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Yeom H.W
東北大理学部
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藤沢 雅美
東大物性研
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小川 修一
東北大学多元物質科学研究所
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東北大学 多元物質科学研究所
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宗像 学
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Karlstad大
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Oh J
東大工
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東大工
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東北大学・科学計測研究所
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Yeom H.-w.
東北大 科研
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東北大理:(現)東大理
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Kanomata Takeshi
Department Of Applied Physics Tohoku-gakuin University
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中村 夏雄
宮城沖電気
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Gunnella R.
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池嶋 祐介
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高野 享
東北大多元研
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福田 安生
静岡大 電子工研
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Kanomata T
Faculty Of Engineering Tohoku Gakuin University
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Harima Inst. Riken/spring‐8 Hyogo Jpn
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宗像 学
東北大科研
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佐藤 圭
東北大科研
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川和 拓夫
東北大科研
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川西 浩太
東北大学多元研
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中村 夏雄
東北大学理
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山崎 智之
東北大多元研
著作論文
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
- 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
- 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
- 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
- 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
- 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
- 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
- 電子回折による波数空間測定
- 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
- 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
- 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
- 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
- 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 熱散漫散乱を用いた表面構造解析
- 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
- 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)