中村 夏雄 | 宮城沖電気
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概要
関連著者
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中村 夏雄
宮城沖電気
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中村 夏雄
東北大学理
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河野 省三
東北大・理
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中村 夏雄
東北大理
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中村 夏雄
東北大・理
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阿武 恒一
東北大・理
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河野 省三
東北大理
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後藤 忠彦
東北大 科研
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虻川 匡司
東北大科研
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河野 省三
東北大科研
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後藤 忠雄
東北大科研
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虻川 匡司
東北大学多原研
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東北大科研
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虻川 匡司
東北大理
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江島 丈雄
東北大理
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筑波大物理
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朴 鍾允
成均館大
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後藤 忠彦
東北大科研
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東山 和幸
筑波大・物理
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虻川 匡司
東北大・理
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阿武 恒一
東北大・埋・物理
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中村 夏雄
東北大・埋・物理
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河野 省三
東北大・埋・物理
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阿武 恒一
東北大理
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洞野 省三
東北大・理
著作論文
- 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
- 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
- 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
- 26a-P-12 Si(111)√×√,Sb表面のXPD
- 30p-BPS-18 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析II
- 24p-R-10 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析
- 4a-PS-41 Si(111)表面上のInの移動
- 30a-TA-8 UHV-SEMによるIn/Si(111)表面の研究
- 3a-C4-12 超高真空SEM装置の試作とAg/Si(111)表面
- 4a-PS-42 Si(111)4×1-1n表面の構造解析