虻川 匡司 | 東北大科研
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概要
関連著者
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虻川 匡司
東北大科研
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河野 省三
東北大科研
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河野 省三
東北大・理
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河野 省三
東北大
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虻川 匡司
東北大多元研
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虻川 匡司
東北大学多元物質科学研究所
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虻川 匡司
東北大学多原研
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高桑 雄二
東北大科研
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河野 省三
東北大多元研
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鈴木 章二
東北大院・理
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佐藤 繁
東北大理
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鈴木 章二
東北大理
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後藤 忠彦
東北大 科研
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後藤 忠雄
東北大科研
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柿崎 明人
東大物性研
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島谷 高志
東北大科研
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佐々木 雅夫
東北大理
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Yeom H.-w.
東北大 科研
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Yeom H.-w.
東北大理:(現)東大理
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佐藤 繁
東北大院理
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中村 真之
東北大 科研
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中村 真之
東北大科研
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木村 慎之
東北大科研
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小杉 亮治
東北大科研
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佐藤 繁
東北大 理 物理
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後藤 忠彦
東北大科研
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Yeom H.-W.
東北大理
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Chen X.
Univ. of Wisconsin-Milwaukee
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森 優治
東北大科研
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下村 勝
静岡大電子研
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隅谷 宗太
東北大科研
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Yeom H.W
東北大理学部
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下村 勝
東北大科研
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高桑 雄二
東北大学・科学計測研究所
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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花野 太一
東北大科研
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花野 太一
東北大学科学計測研究所
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下村 勝
静岡大 大学院電子科学研究科
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吉村 浩司
高エ研
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木下 豊彦
東大物性研
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福谷 博仁
筑波大物理
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虻川 匡司
東北大理
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木下 豊彦
NEDO
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坂本 邦博
電総研
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坂本 統徳
電総研
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東山 和幸
東北大理
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東山 和幸
筑波大物理
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Yeom H.W.
東大理
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吉村 浩司
東北大科研
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岩渕 美保
筑波大物理
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細井 真也
筑波大物理
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Yeom H.W.
東北大理
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金 起先
東北大科研
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久松 史明
東北大科研
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村松 夏弘
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Huff W.R.A.
東北大科研
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久松 史明
東北大学工学研究科
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中村 夏雄
宮城沖電気
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虻川 匡司
東北大学理
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中村 夏雄
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東北大理
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Chen X
東北大理学部
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Yeom H
東大工
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後籐 忠彦
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Huff W.R.A
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小倉 康資
東北大 科研
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吉村 浩司
東北大学科研
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L.S.O Johansson
Exp.Phys.I, Universitaet Dortmund(Germany)
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E.L Bullok
Inst.Phys.Exp., Universite de Lausanne(Switzerland)
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L Patthey
Dept.Phys., Uppsala Universitet(Sweden)
-
L Patthey
Dept.phys. Uppsala Universitet(sweden)
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Patthey L.
Univ.lausanne
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E.l Bullok
Inst.phys.exp. Universite De Lausanne(switzerland)
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L.s.o Johansson
Exp.phys.i Universitaet Dortmund(germany)
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Johansson L.s.o.
Lund University
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WEI C.M
台湾中央研究院
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Saldin D.K.
Univ.Wisconsin-Milwaukee
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Bullock E.L.
Univ.Lausanne
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谷 順次
東北大流体研
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陳 翔
東北大科研
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宗像 学
東北大科研
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佐藤 圭
東北大科研
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川和 拓夫
東北大科研
著作論文
- Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
- Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
- 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
- 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
- 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
- 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
- 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
- 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
- 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究
- 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態
- 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
- 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
- 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
- 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
- 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
- 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
- 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
- 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法
- 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
- Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
- 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces