東山 和幸 | 筑波大物理
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概要
関連著者
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東山 和幸
筑波大物理
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東山 和幸
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羽賀 日出明
筑波大物理
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大貴 等
筑波大物理
著作論文
- 30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
- 29a-PS-18 Si/Ge(001)のSTM, XPS, LEED
- 30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
- 1p-S-11 Au/Si(111)表面の回折XPSII
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 12a-Y-6 Sn/Ge(111)表面の回折XPS,AESIII
- 27p-Y-2 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES II
- 27p-Y-1 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES, I
- 30a-BE-5 回折XPSによるAg/Si(111)構造解析
- 25p-Z-3 角度分解光電子分光によるPd(110)c(2×4)-0の電子状態
- 3a-C4-4 Pd(110)酸素吸着系の角度分解光電子分光II
- 30p-TA-6 CaF_2/Si(111)表面のARUPS
- 30p-TA-5 Si(111)√×√-B表面のARUPS
- 5p-T-9 CaF_2/Si(111)表面のARUPS
- 5p-T-8 CaF_2/Si(111)表面のXPD
- 26a-P-12 Si(111)√×√,Sb表面のXPD
- 31p-WC-5 p(2x1)O、p(3x1)O/Ni(110)表面の角度分解光電子分光
- 29a-G-5 Cu(110)-(2×1)-0,(1×2)-KのARUPS
- 12a-Y-7 Sn/Ge(111)表面の直衝突イオン散乱分光
- 4a-Q-5 Pd(110)の常温STM I : 清浄(1×1)、Cs吸着(1×2)表面
- 27aY-2 K吸着Pd(110)のSTM観察 : K一次元鎖形成
- 29pPSA-36 Pd(110)清浄表面におけるステップ移動のSTM観察
- 29pPSA-21 酸素吸着Ni(110)表面のSTM観察
- 2p-YD-12 Pd(110)の常温STM IV:高被覆率のK吸着表面
- Pd(110)の常温STM III : K吸着表面の観察
- 31a-J-4 Al(111)酸化表面のSTM・ELS
- 28a-S-7 Pd(110)の常温STM観察II : tipによるPd原子の解離, 再結合
- 28p-PSB-12 Au/Si(111)-(6×6)の常温STMI
- 28p-WB-1 Au/Si (111)-(6×6)の常温STM II
- 30a-ZD-13 Si/CaF_2界面の電子状態のARUPS
- 24P-R-13 CaF_2(111)面上のSi超薄膜の光電子分光法による研究
- 29a-H-10 中性子照射グラファイトの内殻XPS(29aH 半導体(グラファイト・インターカレーション))
- 25pPSB-22 Ni(110)におけるナトリウムと酸素の共吸着に関する実験的研究(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))