中村 夏雄 | 東北大・理

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概要

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著作論文

• 26a-P-12 Si(111)√×√,Sb表面のXPD
• 30p-BPS-18 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析II
• 24p-R-10 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析
• 4a-PS-42 Si(111)4×1-1n表面の構造解析
• 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)
• 29a-TJ-3 Si(111)√3x√3-Ag表面のXPDの再解析(29aTJ 表面・界面)

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