河野 省三 | 東北大

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 河野 省三

  東北大科研

• 河野 省三

  東北大

• 河野 省三

  東北大・理

• 虻川 匡司

  東北大多元研

• 虻川 匡司

  東北大学多元物質科学研究所

• 虻川 匡司

  東北大科研

• 河野 省三

  東北大多元研

• 虻川 匡司

  東北大学多原研

• 高桑 雄二

  東北大科研

• 鈴木 章二

  東北大院・理

• 虻川 匡司

  東北大理

• 河野 省三

  東北大学科学計測研究所

• 虻川 匡司

  東北大学理

• 後藤 忠彦

  東北大 科研

• 中村 真之

  東北大 科研

• 虻川 匡司

  東北大学科学計測研究所

• 下村 勝

  静岡大電子研

• Yeom H.-w.

  東北大 科研

• Yeom H.-w.

  東北大理:(現)東大理

• 後藤 忠雄

  東北大科研

• 下村 勝

  静岡大 大学院電子科学研究科

• 佐藤 繁

  東北大院理

• 佐藤 繁

  東北大理

• 鈴木 章二

  東北大理

• 島谷 高志

  東北大科研

• 中村 真之

  東北大科研

• Yeom H.w.

  Yonsei Univ. Seoul Kor

• 佐藤 繁

  東北大 理 物理

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 森 優治

  東北大科研

• 木村 慎之

  東北大科研

• 小杉 亮治

  東北大科研

• Yeom H.W

  東北大理学部

• 虻川 匡司

  東北大 科研

• 河野 省三

  東北大 科研

• Yeom H.-W.

  東北大理

• Chen X.

  Univ. of Wisconsin-Milwaukee

• 隅谷 宗太

  東北大科研

• 下村 勝

  東北大科研

• 金 起先

  東北大科研

• 花野 太一

  東北大学科学計測研究所

• 吉村 浩司

  高エ研

• 福谷 博仁

  筑波大物理

• SHIVAPRASAD S.M

  東北大 科研

• 安田 安生

  静岡大学電子工学研究所

• 福田 安生

  静岡大学電子工学研究所

• 福田 安生

  静岡大学電子科学研究科

• 福田 安生

  日本鋼管(株)中央研究所

• 坂本 邦博

  電総研

• 坂本 統徳

  電総研

• 鈴木 章二

  東北大理学部

• 佐藤 繁

  東北大理学部

• 佐々木 雅夫

  東北大理

• 東山 和幸

  東北大理

• 東山 和幸

  筑波大物理

• 河野 省三

  東北大学多元物質科学研究所

• Yeom H.W.

  東大理

• 吉村 浩司

  東北大科研

• Yeom H

  東大工

• 岩渕 美保

  筑波大物理

• 細井 真也

  筑波大物理

• 高桑 雄二

  東北大学・科学計測研究所

• Yeom H.W.

  東北大理

• 後藤 忠彦

  東北大科研

• 村松 夏弘

  東北大科研

• 花野 太一

  東北大科研

• Huff W.R.A.

  東北大科研

• 小倉 康資

  東北大 科研

• 久松 史明

  東北大学工学研究科

• 福田 安生

  静岡大 電子工研

• 林 俊典

  東ソー(株)バイオサイエンス事業部

• 木下 豊彦

  東大物性研

• 佐藤 繁

  東北大院・理

• 下村 勝

  東北大 科研

• 比嘉 昌

  東北大 科研

• YEOM H.W

  東北大 科研

• 鈴木 章二

  東北大 理

• 佐藤 繁

  東北大 理

• 谷 順二

  東北大 流体研

• 三浦 達志

  東北大理

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 岡根 哲夫

  東北大理

• 木下 豊彦

  NEDO

• 福田 安生

  静岡大電子研

• 福田 安生

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 市川 祐永

  鋼管計測(株)

• 眞田 則明

  静岡大学電子工学研究所

• 下村 勝

  東北大学科学計測研究所

• 藤森 伸一

  東北大理

• 小倉 康資

  東北大科研

• 坂本 一之

  東北大院理

• 鈴木 俊宏

  東北大院理

• 坂木 一之

  東北大院理

• 林 俊典

  東ソー(株)

• 山崎 智之

  東北大学多元研

• 三木 一司

  電総研

• 佐藤 繁

  東北大科研

• 廉 罕雄

  東北大理

• Shivaprasad S.M

  東北大理学部

• Chen X

  東北大理学部

• 虻川 司

  東北大科研

• Yeom Woong

  東北大科研

• 谷 順二

  東北大流体研

• 三木 一司

  電子技術総合研究所

• 下村 勝

  東北大多元研

• 宗像 学

  東北大多元研

• 佐藤 圭

  東北大多元研

• 川和 拓夫

  東北大多元研

• Widstrand S.

  Karlstad大

• Oh J

  東大工

• 矢島 健太郎

  東北大学多元研

• 三木 一司

  物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 岡根 哲夫

  原子力機構:spring-8

• 廉 罕雄

  東大埋

• 坂本 仁志

  三菱重工業株式会社基盤技術研究所

• 西森 年彦

  三菱重工基盤研

• 坂本 仁志

  三菱重工基盤研

• 久松 史明

  東北大科研

• 後籐 忠彦

  東北大科研

• Huff W.R.A

  東北大科研

• 相沢 勝雄

  東北大

• 後藤 忠彦

  東北大学科学計測研究所

• 岩淵 健二

  東北大学科学計測研究所

• 相沢 勝雄

  東北大学科学計測研究所

• 柳田 里見

  東北大学科学計測研究所

• 高東 修二

  東ソー(株)

• 塚島 順一

  東ソー(株)

• 吉村 浩司

  東北大学科研

• Gunnella R.

  東北大多元研

• 池嶋 祐介

  東北大多元研

• 高野 享

  東北大多元研

• WEI Ching-ming

  Institute of Physics, Academia Sinica

• L.S.O Johansson

  Exp.Phys.I, Universitaet Dortmund(Germany)

• E.L Bullok

  Inst.Phys.Exp., Universite de Lausanne(Switzerland)

• L Patthey

  Dept.Phys., Uppsala Universitet(Sweden)

• L Patthey

  Dept.phys. Uppsala Universitet(sweden)

• Patthey L.

  Univ.lausanne

• E.l Bullok

  Inst.phys.exp. Universite De Lausanne(switzerland)

• Wei Ching-ming

  Institute Of Physics Academia Sinica

• L.s.o Johansson

  Exp.phys.i Universitaet Dortmund(germany)

• Johansson L.s.o.

  Lund University

• Saldin D.K.

  Univ.Wisconsin-Milwaukee

• Bullock E.L.

  Univ.Lausanne

• 谷 順次

  東北大流体研

• 西森 年彦

  三菱重工業

• 陳 翔

  東北大科研

• 虻川 匡司

  東北大学 科学計測研究所

• 河野 省三

  東北大学 科学計測研究所

• 市川 祐永

  静岡大 電子工研

• 宗像 学

  東北大科研

• 佐藤 圭

  東北大科研

• 川和 拓夫

  東北大科研

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著作論文

• 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
• (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
• Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
• Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
• 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
• 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
• 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
• 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
• 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
• 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
• 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
• 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
• 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
• 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
• 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
• 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
• 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
• 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
• 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
• 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究
• 科学解説 CVD成長ダイヤモンド表面の電子分光・回折・顕微鏡による局所分析
• 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
• 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
• 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
• 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
• 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価
• 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
• 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
• 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
• 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
• 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
• 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
• 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
• 光電子回折による半導体表面構造解析
• Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
• 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
• 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces
• 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
• アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態

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