光電子回折による半導体表面構造解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
- Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
- 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
- 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
- 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
- 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
- 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
- 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
- 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
- 27a-PB-11 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散の温度依存性
- 27a-PB-10 Surface structures and interface formation of In (Al) adsorption on Si (001) 2x1 studied by photoelectron spectroscopy
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
- 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究
- 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態
- 科学解説 CVD成長ダイヤモンド表面の電子分光・回折・顕微鏡による局所分析
- 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
- 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
- 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
- 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
- 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価
- 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
- 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
- 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
- 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
- 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
- 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
- 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
- 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
- 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
- 光電子回折による半導体表面構造解析
- 表面物理(VUV-11本会議報告)
- Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
- 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
- 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces
- 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
- アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態