坂本 仁志 | 三菱重工業株式会社基盤技術研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
坂本 仁志
三菱重工業株式会社基盤技術研究所
-
高桑 雄二
東北大科研
-
坂本 仁志
三菱重工業
-
西森 年彦
三菱重工業
-
高桑 雄二
東北大学・科学計測研究所
-
広瀬 文彦
山形大:jst
-
高桑 雄二
東北大学科学計測研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
森 優治
東北大科研
-
河野 省三
東北大科研
-
篠原 正典
長崎大学
-
河野 省三
東北大・理
-
遠田 義晴
弘前大理工
-
遠田 義晴
弘前大学理工学部
-
篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
-
高桑 雄二
東北学院大工
-
宮本 信雄
東北学院大学工学部
-
河野 省三
東北大
-
庄子 大生
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
広瀬 文彦
三菱重工業株式会社基盤技術研究所
-
遠田 義晴
東北大学電気通信研究所
-
西森 年彦
三菱重工業株式会社基盤技術研究所
-
金 起先
東北大科研
-
西森 年彦
三菱重工基盤研
-
坂本 仁志
三菱重工基盤研
-
宮本 信雄
東北学院大 工
-
宮本 信雄
東北学院大工
著作論文
- SiGe表面の水素吸着・脱離過程
- シリコン気相成長中の表面電子状態
- ガスソ-ス分子線エピタキシ-によるダイヤモンド成長
- 電子線照射により薄膜を室温形成 -半導体, 絶縁体, 金属-
- ダイヤモンドの気相成長機構
- 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
- 電子線励起法によるSiの低温表面清浄化と低温エピタキシャル成長 (特集 技術論文)
- 光励起CBE装置の開発とSi原子層エピタキシャル成長 (基礎技術)