4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
-
3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
-
31a-H-8 Ce/Pd(100)の光電子分光
-
(NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
-
Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
-
Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
-
31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
-
31a-S-1 光電子分光及び飛行時間分析型中エネルギーイオン散乱によるCe/Ni(110)表面層の研究
-
27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
28p-H-3 Ce/Cu(110)の光電子分光
-
12a-DC-17 Ce/Ni(110)界面における化合物形成と電子構造
-
12a-DC-16 CeNiAl_4、CeNi_2Al_5の高分解能共鳴光電子分光
-
25p-ZD-2 Ni(110)のスピン分解光電子分光
-
27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
-
31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
-
5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
-
31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
-
NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
-
NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
-
31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
-
29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
-
5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
-
31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
-
13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
-
25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
-
30a-E-3 Ni(110)の角度分解共鳴光電子分光
-
28a-B-11 Ni単結晶の角度分解共鳴光電子分光
-
25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
-
25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
-
25p-W-7 CeNi、LaNiの高分解能光電子分光
-
2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
-
21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
-
26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
-
25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
-
25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
-
30p-D-12 Si(111)√×√-Biの角度分解UPS
-
30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
-
4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
-
3p-RJ-10 Sm/Ge(111)表面の角度分解UPS,II
-
23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
-
29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
-
4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
-
15p-B-18 2価金属塩化物のCl^-L_吸収 II : アルカリ土類塩化物
-
15p-B-17 2価金属塩化物のCl^-L_吸収工 : 遷移金属塩化物
-
15p-B-13 CuClのCl^-L_吸収
-
3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
-
4p-NC-7 レチナールアナログのXPS
-
30a-A-7 Ag(110)表面の回折XPS
-
25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
-
12a-Y-6 Sn/Ge(111)表面の回折XPS,AESIII
-
27p-Y-2 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES II
-
27p-Y-1 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES, I
-
30a-BE-5 回折XPSによるAg/Si(111)構造解析
-
電子回折による波数空間測定
-
3a-C4-13 逆光電子分光装置の改良 : Si(111)√3x√3-Sn,-Inを例として
-
12a-Y-8 Sn/Ge(111)表面の角度分解UPS
-
27a-Y-5 Si(111)(1×1), (7×7)表面電子状態の温度変化
-
1p-TA-13 Na, Ga/Si(001) Single-Domain表面のARUPS
-
3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
-
3a-C4-9 Single-Domain Si(001)2x1-K表面の角度分解UPS
-
3a-KH-9 SORによる遷移金属塩化物の価電子帯光電子スペクトル
-
3a-KH-8 SORによるCu-ハライドの価電子帯光電子スペクトル
-
3a-KH-7 SORによるEu-カルコゲナイドの価電子帯光電子スペクトル
-
3a-KH-6 SORによるCdSおよびMnPの価電子帯スペクトル
-
3a-KH-5 SOR用光電子エネルギーアナライザーと貴金属価電子帯スペクトル
-
3a-KH-4 SORによるXUV光電子分光学-必要性と測定の原理
-
28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
-
熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
-
30a-BE-4 Si(111)-√×√Agの角度分解UPS
-
1p-A-1 Si(111)1×1表面電子状態のUPS
-
31a-J-3 Si(111)7×7表面の角度分解UPS
-
30a-TA-8 UHV-SEMによるIn/Si(111)表面の研究
-
4p-Y-5 Si(001)表面とアルカリ吸着 : 光電子分光
-
3a-C4-12 超高真空SEM装置の試作とAg/Si(111)表面
-
1p-KM-3 光電子回折:Ag-Si(111),Sn/Ge(111)
-
12a-Y-7 Sn/Ge(111)表面の直衝突イオン散乱分光
-
31p-F-5 固体表面の電子状態
-
30p-C-15 バクテリオロドプシンにおけるtwo external point charge modelの検討
-
12p-W-8 SmB_6中のSmイオンの混合電子状態(ESCAのデータ)
-
25a-H-4 金属ヘキサボライドのX線光電子分光
-
30p-D-6 角度分解光電子分光法による銅のエネルギー・バンドの決定 : 三角法の適用
-
表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
-
22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
12p-Z-11 銅ハライドの極端紫外光電子スペクトルにおけるp-d干渉効果
-
25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
熱散漫散乱を用いた表面構造解析
-
1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
-
22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
-
31a-M2-1 Si(111)√3x√3-Sbの角度分解正逆光電子分光(表面・界面)
-
30p-H-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の内殻準位シフト(表面・界面)
-
31a-M2-3 Si(oo1)2×1-sの角度分解UPS(表面・界面)
-
27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
-
29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク