12p-Z-11 銅ハライドの極端紫外光電子スペクトルにおけるp-d干渉効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1974-09-20

著者

• 河野 省三

  東北大理

• 小林 悌二

  東北大医療技短大

• 小林 悌二

  東北大学医療技術短期大学部

関連論文

• 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
• 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
• 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
• 2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
• 30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
• 30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
• 4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
• 3p-RJ-10 Sm/Ge(111)表面の角度分解UPS,II
• 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
• 15p-B-18 2価金属塩化物のCl^-L_吸収 II : アルカリ土類塩化物
• 15p-B-17 2価金属塩化物のCl^-L_吸収工 : 遷移金属塩化物
• 15p-B-13 CuClのCl^-L_吸収
• 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
• 4p-NC-7 レチナールアナログのXPS
• 30a-A-7 Ag(110)表面の回折XPS
• 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
• 30a-S-10 NaCl型金属InSbの電子構造と安定性
• 2a-G-4 NaCl型InSbの電子構造
• 31p GK-2 IV族およびIII-V族半導体のコンプトン・プロフィルの異方性
• 11a-R-1 Si,Geのコンプトン・プロフィルの異方性の計算
• 12a-Y-6 Sn/Ge(111)表面の回折XPS,AESIII
• 27p-Y-2 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES II
• 27p-Y-1 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES, I
• 30a-BE-5 回折XPSによるAg/Si(111)構造解析
• 3a-C4-13 逆光電子分光装置の改良 : Si(111)√3x√3-Sn,-Inを例として
• 12a-Y-8 Sn/Ge(111)表面の角度分解UPS
• 27a-Y-5 Si(111)(1×1), (7×7)表面電子状態の温度変化
• 1p-TA-13 Na, Ga/Si(001) Single-Domain表面のARUPS
• 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
• 3a-C4-9 Single-Domain Si(001)2x1-K表面の角度分解UPS
• 半導体の価電子運動量密度分布およびコンプトロンプロファイルに対する内殻電子直変化の効果
• 十分なポテンシャルパラメタ間相互依存性下で最適化したSi, Ge 半導体の非局所擬ポテンシャルの性質
• 27a-A-1 半導体中水素およびミューオニウムの不純物準位
• 11a-R-2 実験的擬ポテンシャル法によるSi,Geの価電子構造因子と価電子分布
• 7p-U-8 Si, Geの非局所擬ポテンシャルII
• 7p-U-7 Si, Geの非局所擬ポテンシャルI
• 10p-T-10 光学およびXPSスペクトルの両方に適合するダイヤモンド型, ZnS型半導体擬ポテンシャルの決定
• 3a-R-5 拡張された擬ポテンシャルの理論
• 3a-KH-9 SORによる遷移金属塩化物の価電子帯光電子スペクトル
• 3a-KH-8 SORによるCu-ハライドの価電子帯光電子スペクトル
• 3a-KH-7 SORによるEu-カルコゲナイドの価電子帯光電子スペクトル
• 3a-KH-6 SORによるCdSおよびMnPの価電子帯スペクトル
• 3a-KH-5 SOR用光電子エネルギーアナライザーと貴金属価電子帯スペクトル
• 3a-KH-4 SORによるXUV光電子分光学-必要性と測定の原理
• 30a-BE-4 Si(111)-√×√Agの角度分解UPS
• 1p-A-1 Si(111)1×1表面電子状態のUPS
• 31a-J-3 Si(111)7×7表面の角度分解UPS
• 30a-TA-8 UHV-SEMによるIn/Si(111)表面の研究
• 4p-Y-5 Si(001)表面とアルカリ吸着 : 光電子分光
• 3a-C4-12 超高真空SEM装置の試作とAg/Si(111)表面
• 1p-KM-3 光電子回折:Ag-Si(111),Sn/Ge(111)
• 12a-Y-7 Sn/Ge(111)表面の直衝突イオン散乱分光
• 31p-F-5 固体表面の電子状態
• 30p-C-15 バクテリオロドプシンにおけるtwo external point charge modelの検討
• 12p-W-8 SmB_6中のSmイオンの混合電子状態(ESCAのデータ)
• 25a-H-4 金属ヘキサボライドのX線光電子分光
• 3p-Q-7 液体水銀の光吸収をめぐる論争の解決の試み
• 固体価電子系の電荷密度および運動量密度分布関数に対する共通母関数誘導の試み
• 30p-D-6 角度分解光電子分光法による銅のエネルギー・バンドの決定 : 三角法の適用
• 固体におけるコンプトン散乱B(γ)関数の結晶ポテンシャル場に対する基礎的汎関数関係
• コンプトン散乱B(γ)関数中の運動学的構造パラメタによる半導体価電子結合性の研究
• 電子固有状態間における量子力学的直交性の物理的解釈に関する一考
• Ge-GaAs-ZnSe半導体系列におけるコンプトン散乱B(γ)関数の異方性
• 半導体コンプトン散乱B(γ)関数における価電子イオン結合度に対する線形性
• 内殻遮断パラメタのないイオンモデルポテンシャルの試み
• コンプトンB(γ)関数上への原子像の出現とその解釈モデル
• 粉末半導体の電子運動量密度, コンプトンプロファイルに対する等方性成分シミュレーション
• Ge-GaAs-ZnSe系列におけるコンプトンB(γ)関数の電子結合依存性
• 古巣近くで出る電子の昔の癖とその効用 : ガンマ線コンプトン散乱の物性顕微鏡的効果について(第5回医療短大研究会)
• 半導体系列Ge, GaAs, ZnSeにおける価電子結合性の変化が及ぼす電子運動量密度分布への効果
• ポジトロン消滅A(γ)-関数マップ上の内殻電子直交化パターン
• コンプトンB(γ)-関数に現れる単位胞内原子像 : "コンプトン顕微鏡"?
• シリコンの価電子コンプトンファイルに対する内殻電子直交化効果
• 陽電子消滅とコンプトン散乱の結合 : 電子分布の影響を軽減した陽電子自己相関関数の導入
• 半導体中の価電子-陽電子対の運動量密度分布に対する内殻電子直交化の効果
• 半導体陽電子消滅角相関の計算に対するフーリェ逆変換法
• 30p-F-7 擬ポテンシャル理論による半導体価電子運動量分布
• 12p-Z-11 銅ハライドの極端紫外光電子スペクトルにおけるp-d干渉効果
• 角度分解光電子エネルギー分布による固体の研究
• 角度分解光電子分光法による固体表面の研究
• 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
• 31a-M2-1 Si(111)√3x√3-Sbの角度分解正逆光電子分光(表面・界面)
• 30p-H-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の内殻準位シフト(表面・界面)
• 31a-M2-3 Si(oo1)2×1-sの角度分解UPS(表面・界面)
• 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク