分光エリプソメトリによるSi基板の温度と表面層厚さのその場計測
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- 平成11年度 機器・分析技術研究会 報告
- 2-7 アモルファスシリコン紫外線イメージセンサー
- 2-9 アモルファスシリコン撮像管(III)
- スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
- SF_6を用いた高周波スパッタ法によるa-SiCS:H:F薄膜特性への高周波電力の効果
- 硫化水素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法による a-SiCS : H 薄膜
- メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜
- 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
- 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
- スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
- 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
- Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 分光エリプソメトリによるa-SiN_x薄膜の光学的特性評価
- 分光エリプソメトリによるInAs陽極酸化層の光学的特性評価
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- エリプソメトリによる薄膜堆積初期過程の「その場」計測
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- In-Ga-Sb融液の均一分散混合の地上実験 : 融液成長(一般)II
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- 4ゾーン消光型分光エリプソメータの試作と応用
- サーメットの光吸収
- シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(II) : SIMOXの上部Si層
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- 戻り光の誘導変調による複合干渉計型ファイバ-センサ-
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 分析機器に関する学内研修の実施
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-SiN薄膜の堆積過程モニタリング
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 非晶質材料のモデル誘電率関数
- マグネトロンスパッタ法によって作製したSi系水素化非晶質半導体薄膜の特性
- 複合ターゲット法によるGa添加a-SiC:H薄膜
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- Co-sputter法によるAl及びIn添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性
- 中国の回収衛星利用による多元系化合物半導体の溶解と成長
- 網膜の機能を組み込んだ画像入力デバイスの検討
- 平成13年度 東海・北陸地区国立学校等技術専門職員研修 : 物理・化学コース
- 金属微粒子物性の粒子サイズ依存
- 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
- 高圧ガスの法規と資格
- 多重減衰全反射分光測光に於けるパーソナルコンピュータの利用
- 金属膜成長初期過程の高感度測定法--薄膜光導波路の一応用法
- 金属微粒子二次元分散系の光学的性質
- 金属膜成長初期過程及び金属微粒子光物性の研究への多重減衰全反射分光法の応用
- 円環マグネットによるrfスパッタ特性の改善
- 透明膜の屈折率と膜厚が分離測定可能な偏光解析法
- オートコリメーション型エリプソメーターによるRFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 非晶質シリコンを用いた高精細撮像デバイス
- 2-3 a-Si : Hの軟X線撮像デバイスへの応用
- 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
- SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの生成初期過程
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価
- 5-5 平面状電子源の検討(II)
- 5-2 平面状電子源の検討
- a-SiC : H膜の高精細撮像デバイスへの応用
- 1p-N-9 貴金属微粒子のd-バンドの粒径依存
- 微小重力下(IML-2実験)でのIn/GaSb/Sb混合と凝固
- 微小重力環境下(IML-2)におけるIn-GaSb-Sb融液混合実験
- Co-sputter法によるIn添加a-SiC : H薄膜の作製と諸特性
- テトラヘドラル系水素化アモルファス半導体薄膜光センサの分光感度特性
- CF4を用いた反応性スパッタリング法で作成したa-SixCyFz薄膜の性質
- 蒸着初期の銀微粒子の光吸収
- エリプソメトリとその応用
- NiとPd微粒子の光吸収 : 伝導電子間の強い相関相互作用
- ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
- 分光エリプソメトリによる表面・薄膜の解析
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 低誘電率(low-k)層間絶縁膜の光学特性
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 非晶質材料の経験的誘電関数と膜厚揺らぎモデル
- 分光エリプソメトリによるSi基板の温度と表面層厚さのその場計測
- 膜厚測定 (VLSIプロセスにおける検査(技術ノ-ト))
- 二縦モード横ゼーマンレーザによる距離測定
- 対称周期構造多層膜と光学的に等価な均質媒質
- 多層光学薄膜素子の界面光吸収
- 極端紫外光実験施設(UVSOR、岡崎分子科学研究所)の利用報告
- サファイア基板上のエピタキシャルZnO薄膜の分光エリプソメトリ
- サファイア基板上のエピタキシャルZnO薄膜の分光エリプソメトリ
- 二重変調方式による高性能光半導体解析システムの紹介
- サマリー・アブストラクト
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- 分光エリプソメトリにおける多変数解析の解の単一性
- 分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
- 分光エリプソメトリー解析に有用な非晶質材料の経験的誘電率関数とその応用
- SOI構造の光学的評価
- CCD可変空間フィルタ
- 4-14 PVF_2焦電ビジコン電極改良とターゲット熱拡散性の検討
- 経験的誘電関数による非晶質材料の分光エリプソメトリ解析
- 高純度GaInAsSb/InAs液相エピタキシャル層の電気的特性
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
- 金属微粒子分散系の光吸収と微粒子物性のサイズ依存
- RFスパッタガラス薄膜の膜厚監視