非晶質シリコンを用いた高精細撮像デバイス
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- VTF-FEAを用いたCdTe X線イメージングデバイスの開発
- 平成11年度 機器・分析技術研究会 報告
- 2-7 アモルファスシリコン紫外線イメージセンサー
- 2-9 アモルファスシリコン撮像管(III)
- CdTe放射線検出器を用いたイメージング装置の開発
- 放射角制御可能なマイクロカラム用電子銃の作成と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- カーボンナノチューブ構造体の熱電子源応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 分光エリプソメトリによるa-SiN_x薄膜の光学的特性評価
- 分光エリプソメトリによるInAs陽極酸化層の光学的特性評価
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(II) : SIMOXの上部Si層
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 分析機器に関する学内研修の実施
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-SiN薄膜の堆積過程モニタリング
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 非晶質材料のモデル誘電率関数
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- 網膜の機能を組み込んだ画像入力デバイスの検討
- 平成13年度 東海・北陸地区国立学校等技術専門職員研修 : 物理・化学コース
- 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
- 高圧ガスの法規と資格
- 内部電子放出法によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合におけるバンドの不連続測定
- 2-8 アモルファスシリコンと単結晶シリコンとのヘテロ接合ターゲット
- a-Si : H/c-Siヘテロ接合を用いた撮像デバイス
- 非晶質シリコンを用いた高精細撮像デバイス
- 12) N形c-SiとP形a-Siのヘテロ接合ターゲット(〔テレビジョン電子装置研究会(第121回)画像表示研究会(第82回)〕合同)
- 2-4 a-Si : H/C-Si接合の光電気的性質とその応用
- 2-3 a-Si : Hの軟X線撮像デバイスへの応用
- n形C-SiとP形a-Siのヘテロ接合ターゲット
- 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
- SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの生成初期過程
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価
- 5-5 平面状電子源の検討(II)
- 5-2 平面状電子源の検討
- a-SiC : H膜の高精細撮像デバイスへの応用
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 低誘電率(low-k)層間絶縁膜の光学特性
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 分光エリプソメトリによるSi基板の温度と表面層厚さのその場計測
- 極端紫外光実験施設(UVSOR、岡崎分子科学研究所)の利用報告
- サファイア基板上のエピタキシャルZnO薄膜の分光エリプソメトリ
- サファイア基板上のエピタキシャルZnO薄膜の分光エリプソメトリ
- 二重変調方式による高性能光半導体解析システムの紹介
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- 色のカテゴリカル知覚と三種の色覚特性を考慮した配色調整(ITS画像処理,映像メディア,視覚及び一般)
- 分光エリプソメトリにおける多変数解析の解の単一性
- 分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
- 分光エリプソメトリー解析に有用な非晶質材料の経験的誘電率関数とその応用
- SOI構造の光学的評価
- 色のカテゴリカル知覚と三種の色覚特性を考慮した配色調整(ITS画像処理,映像メディア,視覚及び一般)
- 色のカテゴリカル知覚と三種の色覚特性を考慮した配色調整(ITS画像処理,映像メディア,視覚及び一般)
- CCD可変空間フィルタ
- マイクロサイズの電子線筐筒の開発とその応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- マイクロサイズの電子線筐筒の開発とその応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 4-14 PVF_2焦電ビジコン電極改良とターゲット熱拡散性の検討
- 3-2 PVF_2焦電ビジコンにおける電子ビーム系の検討
- 経験的誘電関数による非晶質材料の分光エリプソメトリ解析
- 高純度GaInAsSb/InAs液相エピタキシャル層の電気的特性
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
- 1)平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- 平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 4-7 パネルディスプレイ用平面電子源に関するシミョウレーション
- カーボンナノチューブの高速成長とその繊維化(キーノート講演)
- マイクロサイズ電子線筐筒用の電子銃部に関する研究(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製方法の改良(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 表面プラズモン共鳴による光励起カソードに関する研究(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 4-9 アモルファスシリコン膜の電子衝撃電流(EBIC)
- MEH-PPVナノファイバー形成とその発光特性評価
- 超高精細FED用微小電子源の電子光学特性
- 高柳健次郎と全電子式テレビジョン
- 平面型ディスプレイ用平面状電子源
- 撮像管用ダイオード銃の電子ビーム発散角と電流密度分布
- 高精細度用撮像管電子銃
- 2-3 ダイオード銃における電子ビームの電流密度分布(II)
- 3-6 ダイオード銃における電子ビームの電流密度分布
- 3-4 走査電子密度分布と解像度及び残像
- Heart Beat Drum : 未病診断のための心電図聴覚化(コミュニケーション支援及びヒューマンコミュニケーション一般)
- Heart Beat Drum : 未病診断のための心電図聴覚化(コミュニケーション支援及びヒューマンコミュニケーション一般)