平山 博之 | 東京工業大学大学院総合理工学研究科
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概要
関連著者
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平山 博之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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平山 博之
東工大総理工
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平山 博之
東工大・総理工
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青木 悠樹
東工大総理工
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青木 悠樹
東大物性研
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青木 悠樹
東工大・総理工
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大島 義文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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大島 義文
東工大総理工
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高柳 邦夫
東京工業大学
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内藤 賀公
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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加藤 千明
東工大・総理工
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大島 義文
東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻
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宮崎 優
東工大・総理工
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渡井 美和
東工大・総理工
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高柳 邦夫
理工
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高柳 邦夫
東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻
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美馬 宏司
大阪市立大学
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杉本 匡
東工大総理工
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山下 学
日立製作所 デバイス開発センター
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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草野 英二
金沢工業大学
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井口 征夫
川崎製鉄(株)技術研究所
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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田中 虔一
埼玉工業大学大学院工学研究科
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水谷 五郎
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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麻蒔 立男
東京理科大学・工学部
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永井 稔
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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荒木 康弘
静大電子研
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北島 正弘
金属材料技術研究所
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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山本 節夫
山口大学工学部
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栗巣 普揮
山口大学工学部
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松浦 満
山口大学工学部
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久松 広美
高エネルギー加速器研究機構
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金澤 健一
高エネルギー加速器研究機構
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末次 祐介
高エネルギー加速器研究機構
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嶋本 真幸
高エネルギー加速器研究機構
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白井 満
高エネルギー加速器研究機構
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西脇 みちる
総合研究大学院大学数物科学研究科
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佐藤 政行
高エネルギー加速器研究機構
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山本 顕弘
総合研究大学院大学数物科学研究科
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竹内 孝江
奈良女子大学
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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魯 大凌
東京工業大学資源化学研究所, CREST
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戸坂 亜希
学習院大学理学部
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五十嵐 慎一
学習院大学理学部
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平山 孝人
学習院大学理学部
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井口 大介
学習院大学理学部
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澤 敬一
東工大総理工
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関口 津加
東工大・総理工
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源 聡
東工大・総理工
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石塚 健
東工大・総理工
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高柳 邦夫
院理工
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吉田 亮
東工大・総理工
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石川 純久
東工大・総理工
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Yamasaki A.
東工大・総理工
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Kajitani R.
東工大・総理工
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山崎 彩子
東工大・総理工
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梶谷 亮
東工大・総理工
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和佐 清孝
横浜市立大学理学部
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麻蒔 立男
東京理科大学工学部・電気工学科
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菊地 直人
金沢工業大学AMS R&D C
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福島 和宏
金沢工業大学 AMS R&D C
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池田 佳広
金沢工業大学AMS R & D C
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彩木 傑
金沢工業大学AMS R & D C
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佐野 睦
日本原子力研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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市川 昌和
アトムテクノロジー研究体
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佐藤 弘子
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中川 行人
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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関川 健太郎
埼玉大学
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高橋 善和
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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南戸 秀仁
金沢工業大学
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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浅野 清光
秋田高専
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小川 倉一
大阪府立産業技術総合研究所
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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小林 信一
埼玉大学
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安達 俊
学習院大学理学部
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見附 孝一郎
分子科学研究所
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関 孝男
学習院大学理学部
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阿部 彰雄
学習院大学理学部
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栗山 大人
学習院大学理学部
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日置 亜也子
大阪府立産業技術総合研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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潮田 資勝
北陸先端科学技術大学院大学
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水野 茂
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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北原 武
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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田中 英樹
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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脇本 裕之
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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佐々木 雅夫
アネルバ株式会社
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橘内 浩之
日立製作所 機械研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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桜井 誠
神戸大学理学部
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吉岡 捷爾
香川大学
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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高橋 明久
東京理科大学工学部電気工学科
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塩川 善郎
アトムテクノロジー研究体
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夏川 一輝
大阪府立産業技術総合研究所
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村上 和嗣
大阪市立大学工学部
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川原 淳史
大阪市立大学工学部
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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庄子 大生
東北大学電気通信研究所
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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安部 薫
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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斎藤 順雄
高松工専
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仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
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山口 十六夫
静岡大学
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岩田 弘
香川県工技センタ
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中村 茂昭
高松工専
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相 龍太
横浜市立大学総合理学研究科
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矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
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成島 哲也
筑波大学物理学科
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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佐藤 英樹
アネルバ株式会社
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科
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渡邉 祐樹
埼玉大学
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金持 徹
広島国際学院大学工学部電子工学科
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安田 幸夫
名古屋大学
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池内 俊之
筑波大学物理工学系
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中村 忠
東海大学工学部電子工学科
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大屋 誠志郎
神奈川県産業技術総合研究所
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品部 慎治
(株)安川電機
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山本 恵彦
筑波大学物理工学系
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濱田 晃一
山口大学工学部
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川田 正国
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
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柳沢 保徳
奈良教育大学
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森川 良樹
明電舎材料デバイス研究部
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西口 哲也
明電舎材料デバイス研究部
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宮本 正春
明電舎材料デバイス研究部
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野中 秀彦
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
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村上 寛
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
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佐藤 誠
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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田口 信一郎
アネルバ株式会社
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長谷川 秀雄
防衛大学校電気工学科
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妻木 伸夫
日立製作所, 機械研究所
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松谷 貴臣
大阪工業技術研究所
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継枝 孝行
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大先端研
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金原 あきら
金沢工業大学AMSRC
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金 龍成
金属材料技術研究所
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近藤 剛弘
筑波大学物理工学系, 筑波先端学際領域研究(TARA)センター
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柳生 進二郎
筑波大学物理工学系
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平岡 知己
筑波大学物理工学系
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八木原 美奈
東京理科大学工学部電気工学科
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荒川 知洋
東海大学工学部電子工学科
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竹澤 英朗
東海大学工学部電子工学科
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沢平 嘉浩
金沢工業大学ams R&d Dc
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池田 浩也
名古屋大学
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大谷 寿幸
東洋紡績(株)総合研究所
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佐々木 仁志
京都大学大学院工学研究科
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稲生 親紀
静大電子研
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長濱 博之
東洋紡績(株)総合研究所
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西浦 正倫
広島国際学院大学ハイテクリサーチセンター
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森居 隆史
松下技研(株)
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松井 慎
金沢工業大学 Ams R&d C
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鈴木 慎一
日立製作所 デバイス開発センタ
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増岡 俊夫
大阪市立大学原子力基礎研究所
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井口 征夫
川崎製鉄(株)技研
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川田 洋揮
日立製作所 機械研究所
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垣谷 公徳
岡山理科大学
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斉藤 隆義
金沢工業大学ams R & D C
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吉武 道子
金属材料技術研究所
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斉藤 芳男
高エネルギー加速器研究機構
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猪飼 正道
豊田中央研究所
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浅利 宏紀
埼玉大学
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部坂 正樹
新光産業機械事業部
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船場 一郎
(株)テクノセブン
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井上 英明
大亜真空(株)
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大谷 寿幸
東洋紡績(株)化成品開発研究所
-
横山 誠一郎
東洋紡績(株)総合研究所
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下村 哲生
東洋紡績(株)総合研究所
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富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大
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佐藤 弘子
京都大学大学院工学研究科高分子化学専攻
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篠原 小太郎
(株)テクノセブン
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和佐 清孝
横浜市立大学総合理学研究科
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町田 和雄
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部宇宙技術研究室
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福間 勇人
(株)安川電機基礎研究所
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伊藤 裕亮
横浜市立大学総合理学研究科
-
木戸 俊介
京都大学大学院工学研究科
-
山根 未有希
日立製作所 機械研究所
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財満 鎭明
名古屋大学
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石原 充洋
東工大・総理工
著作論文
- 27aRD-10 Ag/Si(111)上に吸着した水素原子のTPD測定におけるAg膜厚効果(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYH-1 6H-SiC(0001)再構成表面における水素脱離特性(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pRD-4 Si(111)基板上におけるAg(111)薄膜の表面準位に対する膜厚・転位・量子閉じ込めの影響(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-9 Si(111)表面上にelectronic growthしたAg超薄膜の臨界膜厚制御(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-2 Si(111)√√表面上のGeエピタキシャル成長のSTM観察(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXJ-2 Si(111)表面上Ag超薄膜のelectric growthにおける量子効果とkineticsの競合(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pYH-4 Si(111)√x√-Ag表面への2次元量子構造の構築(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-2 Si(111)表面上Ag成長に伴うSHG強度振動へのサーファクタント効果(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXC-8 金多層ヘリカルナノワイヤのコンダクタンス計測(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-13 Si(111)7×7表面上Ag薄膜内量子準位からの2光子共鳴光第二高調波発生(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 21aYE-8 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス III : 非整数コンダクタンス
- 21aYE-7 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス II : 整数コンダクタンス
- 21aYD-11 Ge/Si(001) 表面におけるダイマー鎖上の 1 次元電子状態
- 21aYD-8 Si(111)7x7 表面への Ag 低温蒸着時の SHG 強度振動
- 25aWS-2 Si(111)基板上にエピタキシャル成長したAg超薄膜表面上のBi原子吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWS-1 Ag/si(111)√xR30°-B界面における水素吸着(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- タングステン探針によってシリコン(111)表面に誘起される歪みの反射型電子顕微鏡観察
- REM-STMによるSTM探針・表面相互作用の研究
- サマリー・アブストラクト
- 低エネルギーイオン照射による表面欠陥の生成と回復
- 27pPSA-28 水素吸着したSi(111)√3x√3-B表面における昇温脱離測定とSTM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTH-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(II)(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-1 エピタキシャルグラフェン成長過程に及ぼすB原子の影響(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 固体表面の電子状態