30pRD-4 Si(111)基板上におけるAg(111)薄膜の表面準位に対する膜厚・転位・量子閉じ込めの影響(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
青木 悠樹
東工大総理工
-
平山 博之
東工大総理工
-
青木 悠樹
東大物性研
-
澤 敬一
東工大総理工
-
平山 博之
東工大・総理工
-
平山 博之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
平山 博之
東工大院・総理工
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