6a-B-9 断面STMによるSi/Ge(111)界面の観察

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-09-16

著者

• 平山 博之

  東工大・総理工

• 高柳 邦夫

  東工大・総理工

• 中田 和成

  東工大 総理工

• 永長 祐一

  東工大・総理工

• 大森 雅夫

  東工大・総理工

• 中田 和成

  東工大・総理工

関連論文

• 27aRD-10 Ag/Si(111)上に吸着した水素原子のTPD測定におけるAg膜厚効果(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYH-1 6H-SiC(0001)再構成表面における水素脱離特性(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-4 Si(111)基板上におけるAg(111)薄膜の表面準位に対する膜厚・転位・量子閉じ込めの影響(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-9 Si(111)表面上にelectronic growthしたAg超薄膜の臨界膜厚制御(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXA-2 Si(111)√√表面上のGeエピタキシャル成長のSTM観察(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXJ-2 Si(111)表面上Ag超薄膜のelectric growthにおける量子効果とkineticsの競合(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pYH-4 Si(111)√x√-Ag表面への2次元量子構造の構築(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-2 Si(111)表面上Ag成長に伴うSHG強度振動へのサーファクタント効果(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-8 金多層ヘリカルナノワイヤのコンダクタンス計測(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24pWB-13 Si(111)7×7表面上Ag薄膜内量子準位からの2光子共鳴光第二高調波発生(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 21aYE-8 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス III : 非整数コンダクタンス
• 21aYE-7 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス II : 整数コンダクタンス
• 21aYD-11 Ge/Si(001) 表面におけるダイマー鎖上の 1 次元電子状態
• 21aYD-8 Si(111)7x7 表面への Ag 低温蒸着時の SHG 強度振動
• 19pPSB-55 超高真空電子顕微鏡内STM装置開発とナノワイヤ観察
• 19pPSB-18 Si(111)7x7表面上のAg薄膜成長時のSHG強度振動
• 2a-YE-11 YB_(001)表面上におけるC_クラスター結晶成長のSTM観察
• Si(111)c(2×8)構造のSTM観察
• B原子によるSi(111)7x7表面構造の無秩序化
• 1a-J-2 超高真空XSTMによるシリコン結晶中ボロンクラスターの観察
• 3p-Q-6 TEM-STMによるSTMティップ先端の観察
• 27p-ZS-3 変性表面としてのSi(111)表面上のPb吸着層
• 25aWS-2 Si(111)基板上にエピタキシャル成長したAg超薄膜表面上のBi原子吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 7a-PS-61 Dual探針トンネル顕微鏡
• 25aWS-1 Ag/si(111)√xR30°-B界面における水素吸着(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 6a-B-9 断面STMによるSi/Ge(111)界面の観察
• 31a-T-1 Ge(111)-2×1→c2×8相転移における位相境界の役割
• 31p-YF-15 表面欠陥を導入したSi(111)表面上のAg薄膜成長のSTM観察
• 31a-T-3 Arイオンスパッタ時のSi(111)7×7表面における欠陥の生成と回復
• 23aTD-4 原子ワイヤと量子化コンダクタンス
• 23aTD-4 原子ワイヤと量子化コンダクタンス
• 28a-YM-3 MBE-Si/Geの{111}劈開表面におけるミスフィット転位起源ステップ
• TEM-STMを用いた金原子架橋の形成とそのコンダクタンス量子化の研究
• 28a-T-3 UHV-TEM法によるグラファイト基板上のCr微粒子の結晶成長に関する"その場"観察
• UHV-TEM法によるAg/Si(111)-√3×√3界面構造の観察
• 28p-Q-11 Ag/Si(111)-√×√表面上のAg膜成長と界面√構造の変化
• 27pPSA-28 水素吸着したSi(111)√3x√3-B表面における昇温脱離測定とSTM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTH-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aHA-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(II)(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-1 エピタキシャルグラフェン成長過程に及ぼすB原子の影響(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31p-YF-11 Si(001)2×1表面ステップと表面超格子c(3×3)のTEM-TED観察
• 27aZ-11 液体窒素冷却によるInナノ粒子のUHV-TEM観察
• 31p-YF-10 Si(001)2×1表面に吸着するGe原子構造のTED解析
• 24pCK-1 Bi吸着に伴うAg(111)表面電子状態の変化(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aFN-1 Bi/Ag(111)√3×√3表面上のAg成長(19aFN 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 19aFE-5 Ag超薄膜上のシリシン成長(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 26aXZA-7 走査トンネル顕微鏡によるAg/Si(111)√×√-B界面構造の観察(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-4 Si(111)7×7基板上Ag超薄膜表面のリップル構造(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pAP-3 Ag/Si(111)界面構造がAg超薄膜表面に与える影響(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク