3p-Q-6 TEM-STMによるSTMティップ先端の観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-08-16
著者
-
富取 正彦
北陸先端大材料
-
高柳 邦夫
東工大・総理工
-
柴田 晃秀
理工
-
樋山 拓己
東工大総理工
-
内藤 賀公
東工大・理
-
樋山 拓巳
東工大・総理工
-
柴田 晃秀
東工大・理工
-
内藤 賀公
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
樋山 拓巳
東工大 総理工
-
富取 正彦
北陸先端大 材料科学研
-
富取 正彦
北陸先端大
関連論文
- 21aPS-7 NC-AFM探針-試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pPSB-55 超高真空電子顕微鏡内STM装置開発とナノワイヤ観察
- 19pPSB-18 Si(111)7x7表面上のAg薄膜成長時のSHG強度振動
- Si(111)c(2×8)構造のSTM観察
- B原子によるSi(111)7x7表面構造の無秩序化
- 28p-PSB-11 デュアルトンネル探針の製作
- 28a-S-4 原子間隙ティップ-表面相互作用 : TEM-STMによるティップ先端の観察
- 5a-Q-9 表面変性エピタクシー : 表面偏析の最適条件
- 3p-Q-6 TEM-STMによるSTMティップ先端の観察
- 2a-Q-3 Si-金属単原子層界面のショットキー障壁"その場"観察
- 28p-WB-8 Si(111)7x7 表面の再構築過程の高温"その場"STM観察
- 15a-DH-10 Sn吸着によるSi(111)7×7表面の再構築過程の高温STM観察
- 13a-PS-44 ショットキー障壁高の超高真空中"その場"計測
- 30a-H-4 Ag吸着によるSi(111)7×7表面の再構築過程の"その場"高温STM観察
- 25p-Y-1 Si(111)表面に吸着したAgのSTM-RHEED観察
- 30a-ZF-1 Si(111)表面に吸着したAgのSTM-RHEED観察
- 30p-BPS-9 Si(111)5×2-Au相のSTM-RHEED観察
- 30a-ZD-8 Si7×7表面に成長する?×?-Au相のSTM-RHEED観察
- 29a-WB-1 原子スケール表面分析のための電界放射探針評価型STM/STSの開発
- 13a-PS-23 電界放射によるSTM/STSの探針評価
- 28a-S-2 針状試料先端の半導体超薄膜からの電子のトンネル過程
- 5a-R-13 針状試料先端の半導体膜の研究III
- 27p-ZS-3 変性表面としてのSi(111)表面上のPb吸着層
- 27pPSA-2 水素終端Si(100)上に形成したAuナノ粒子のSTS II(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28pPSB-57 水素終端 Si(100) 上に形成した Au ナノ粒子の STS
- 7a-PS-61 Dual探針トンネル顕微鏡
- 6a-B-9 断面STMによるSi/Ge(111)界面の観察
- 31a-T-1 Ge(111)-2×1→c2×8相転移における位相境界の役割
- 31p-YF-15 表面欠陥を導入したSi(111)表面上のAg薄膜成長のSTM観察
- 31a-T-3 Arイオンスパッタ時のSi(111)7×7表面における欠陥の生成と回復
- 23aTD-4 原子ワイヤと量子化コンダクタンス
- 23aTD-4 原子ワイヤと量子化コンダクタンス
- STMと組み合わせた超高真空電子顕微鏡でみる深針-シリコン表面
- 28a-YM-3 MBE-Si/Geの{111}劈開表面におけるミスフィット転位起源ステップ
- タングステン探針によってシリコン(111)表面に誘起される歪みの反射型電子顕微鏡観察
- 23aW-1 STM探針とSi(111)表面との原子間力相互作用のREM-STM観察
- REM-STMによるSTM探針・表面相互作用の研究
- 28p-Q-7 タングステン探針によりSi(111)7x7表面に誘起される歪みのREM-STM観察
- 25p-YM-9 REM-STMによる探針とSi表面に形成されるSiナノワイヤーの観察
- 2p-YD-11 REM-STMによるSTM探針先端とSi(111)7×7表面のその場観察
- 3p-K-2 TEM-STMによる探針と表面の原子間隙における相互作用の研究
- 2a-R-10 ゲルマニウム粒子表面のSTS
- 急速に進歩・発展する高分解能AFM
- 30aTE-13 SPMを利用したSi-Si接合のコンダクタンス測定(30aTE 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aRD-10 電圧印加非接触原子間力顕微鏡法によるSi(111)7×7表面の電子状態解析(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXA-7 電圧印加非接触原子間力分光法による探針-試料間電子状態解析(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYB-9 非接触原子間力分光法による極近接状態の相互作用力とコンダクタンスの測定(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pYP-4 電圧印加非接触原子間力顕微鏡/分光法による探針-試料間相互作用の解析(領域9シンポジウム : 原子間力顕微鏡法の新展開,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-10 非接触原子間力分光法によるSi(111)7×7表面の電子状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 23aYD-6 探針と印加電圧による非接触原子間力顕微鏡像の変化
- 28aYQ-9 超高真空非接触原子間力顕微鏡を用いたトンネル電流と散逸の測定
- 24pZN-5 非接触原子間力顕微鏡の印加電圧依存性と画像化機構の考察
- 27aW-8 非接触原子間力顕微鏡によるSi(111)表面像の印加電圧効果
- 31a-WC-8 Si(111)表面上に吸着したCu, Alの非整合構造
- 13a-PS-24 表面変性エピタクシー : Surfactantを用いたSi(111)表面のヘテロエピタクシー
- 13a-PS-8 Si(111)7×7表面に吸着したCuの非整合構造
- 29a-T-4 超高真空中で生成されたCr超微粒子のHRTEM観察
- 2a-R-8 Si超微粒子の表面構造
- サマリー・アブストラクト
- TEM-STMを用いた金原子架橋の形成とそのコンダクタンス量子化の研究
- 28a-T-3 UHV-TEM法によるグラファイト基板上のCr微粒子の結晶成長に関する"その場"観察
- UHV-TEM法によるAg/Si(111)-√3×√3界面構造の観察
- 28p-Q-11 Ag/Si(111)-√×√表面上のAg膜成長と界面√構造の変化
- 3p-Q-7 電界放射探針評価型STM/STSによる表面分析
- 28p-PSB-24 Si超微粒子の超高真空高分解能電子顕微鏡による観察
- 26pTG-6 Si(001)表面におけるDAT分子の吸着構造と電子状態(26pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 原子間力顕微鏡によるナノ力学の新展開
- 24pPSA-31 STMの真空ギャップ中に励起された電子定在波の解析と応用
- 23pW-10 STM真空ギャップ中の電子定在波による試料表面近傍の電界強度評価
- 25pW-7 STMによるSi(001)面上の真空ギャップ中に励起された電子定在波の測定
- 23pHA-9 Si(001)表面におけるDAT分子の電子状態(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31p-YF-11 Si(001)2×1表面ステップと表面超格子c(3×3)のTEM-TED観察
- 27aZ-11 液体窒素冷却によるInナノ粒子のUHV-TEM観察
- 31p-YF-10 Si(001)2×1表面に吸着するGe原子構造のTED解析
- 24pCC-3 Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXZA-6 非接触AFMによる分子吸着Si(111)7×7表面の電子状態変化の検討(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-15 nc-AFMによる相互作用力と表面電子状態の相関の検討(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aYF-13 ダンピング同時測定によるSi(111)面上のGe薄膜のnc-AFM観察(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))