25pWB-10 非接触原子間力分光法によるSi(111)7×7表面の電子状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
新井 豊子
北陸先端大材料
-
富取 正彦
北陸先端大材料
-
Arai Takeshi
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
新井 豊子
金大院自然
-
富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大
-
富取 正彦
北陸先端大
-
新井 豊子
北陸先端大
関連論文
- W表面清浄化過程の走査型トンネル顕微鏡観察
- 21aPS-7 NC-AFM探針-試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28a-S-4 原子間隙ティップ-表面相互作用 : TEM-STMによるティップ先端の観察
- 3p-Q-6 TEM-STMによるSTMティップ先端の観察
- Measurement of Diffusion Coefficient of CF_2 Radical in DC Pulsed CF_4/H_2 Discharge Plasma
- Measurements of Diffusion Coefficient of CF_2 Radical in DC Pulsed CF_4/O_2 Discharge Plasma ( Plasma Processing)
- 表面を探る : 2. 表面顕微鏡: Si表面のSTS ( 表面)
- 27p-R-4 STMによるSi(001)面上のGe蒸着膜の微細構造観察
- 2P-E-1 STM/STSによるSi(001)表面のステップ構造とその電子状態の研究
- W針先鋭化のためのWイオンの熱・電界脱離像の観察
- 28a-S-2 針状試料先端の半導体超薄膜からの電子のトンネル過程
- 5a-R-13 針状試料先端の半導体膜の研究III
- 31p-WC-6 針上試料先端の半導体膜の研究 : 表面の電子状態について
- 14p-DH-3 針状試料先端の半導体膜の研究II
- 30p-G-13 針状試料先端の半導体膜の研究
- 27a-Z-13 A-P・FEESによるGe/Irの組成と電子状態の研究
- 28p-ZF-6 Si(001)上のGeの成長過程のSTMによる観察
- 超高真空仕様の走査型トンネル顕微鏡
- 原子レベルでみた表面構造 (物質のミクロ構造と機能設計)
- STMによる半導体表面の観察と探針評価
- 27a-P-4 走査型トンネル顕微鏡による電導性セラミックスの観察
- 31aWD-12 修飾探針を用いた非接触原子間力顕微鏡によるイオン性結晶表面の観察
- Pressure Effects on CdS Microcrystals Embedded in Germanate Glasses
- Raman Scattering of Amorphous Semiconductors Ge-S System under High Hydrostatic Pressure
- 13a-DF-15 STSによるSi(001)上のGeダイマーの電子状態
- Lattice Dynamics and the Far Infrared Spectra of Pr_xLn_Ba_2Cu_3O_ (Ln=Lanthanide)
- 27pPSA-2 水素終端Si(100)上に形成したAuナノ粒子のSTS II(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28pPSB-57 水素終端 Si(100) 上に形成した Au ナノ粒子の STS
- Effects of Fluorocarbon Films on CF Radical in CF_4/H_2 Plasma
- 2a-R-10 ゲルマニウム粒子表面のSTS
- 走査型プローブ顕微鏡にみる電圧印加のナノ力学的相互作用
- 急速に進歩・発展する高分解能AFM
- Measurements of Diffusion Coefficient of CF_2 Radical in DC Pulsed CF_4 Discharge Plasma
- DLTS Study on the Gradation of the Trap Concentration Profiles in n-CdTe Crystals
- DLTS Study of Pulsed Ruby Laser Irradiation Effects on n-CdTe
- Volume Expansion and Ag Doping Amounts in the Photodoping Process in Amorphous As_2S_3
- In-Situ Observation of Photodoping Process by Infrared Attenuated Total Reflection Method
- 30aTE-13 SPMを利用したSi-Si接合のコンダクタンス測定(30aTE 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aRD-10 電圧印加非接触原子間力顕微鏡法によるSi(111)7×7表面の電子状態解析(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXA-7 電圧印加非接触原子間力分光法による探針-試料間電子状態解析(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYB-9 非接触原子間力分光法による極近接状態の相互作用力とコンダクタンスの測定(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 電圧印加非接触原子間力顕微鏡法を利用した探針-試料間の相互作用力分光法
- 19pYP-4 電圧印加非接触原子間力顕微鏡/分光法による探針-試料間相互作用の解析(領域9シンポジウム : 原子間力顕微鏡法の新展開,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-10 非接触原子間力分光法によるSi(111)7×7表面の電子状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 電圧印加非接触原子間力分光法による量子力学的共鳴相互作用の測定
- 23aYD-6 探針と印加電圧による非接触原子間力顕微鏡像の変化
- SPMを利用したナノ力学計測とデバイス創製の展望 (日本顕微鏡学会第48回シンポジウム 材料科学と生命科学のクロストーク--顕微解析の最前線) -- (非生物系セッション4 SPMとナノ力学的デバイス)
- 28aYQ-9 超高真空非接触原子間力顕微鏡を用いたトンネル電流と散逸の測定
- 装置・手法としての可能性と限界
- 24pZN-5 非接触原子間力顕微鏡の印加電圧依存性と画像化機構の考察
- 27aW-8 非接触原子間力顕微鏡によるSi(111)表面像の印加電圧効果
- Scanning Auger Electron Microscopy Evaluation and Composition Control of Cantilevers for Ultrahigh Vacuum Atomic Force Microscopy ( Scanning Tunneling Microscopy)
- Low-Temperature Crystallization of Hydrogenated Amorphous Silicon Induced by Nickel Silicide Formation
- Elastic Recoil Detection Analysis of Hydrogen Content in Hydrogenated Amorphous Silicon Fims
- Initial Stage of the Interfacial Reaction between Nickel and Hydrogenated Amorphous Silicon
- STM/STSと走査探針
- 走査型トンネル顕微鏡の真空ギャップ中における定在波励起現象のAu(111)とSi(001)面上での比較
- 走査型トンネル顕微鏡と関連技術
- 超高真空STMで安定な原子像を得るためには? -試作と実験のノウハウ(II)-
- 超高真空STMで安定な原子像を得るためには? -試作と実験のノウハウ(I)-
- 百聞は一見に如かず?問いかけは限りなく-走査型プロ-ブ顕微鏡は何を見ているのか?-
- NC-AFM像の印加電圧依存性と画像化技術
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- Estimation of the Filling Factor of the High T_c Superconducting Phase in Y-Ba-Cu-O Mixed System
- 3p-Q-7 電界放射探針評価型STM/STSによる表面分析
- 26pTG-6 Si(001)表面におけるDAT分子の吸着構造と電子状態(26pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- Crystal Structure and Lattice Absorption of Partially-Inverse Spinel Compound MgIn_2S_4
- Optical and Electrical Properties of Inverse Spinel Compound MgIn_2S_4 : CHALCOGENIDE SPINELS : OPTICAL, ELECTRICAL AND MAGNETIC PROPERTIES
- Infrared Reflection Spectra of High T_c Superconductor YBa_2Cu_3O_x Sintered at Various Temperatures
- ナノ評価のための走査型プローブ顕微鏡法の概説と最近の話題
- 走査型トンネル分光法の基礎
- Fast Deposition of Amorphous and Microcrystalline Silicon Films from SiH2Cl2– SiH4– H2 by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
- Initial Stage of Microcrystalline Silicon Growth by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
- The Change of the Charge Fluctuation with Ag Doping in Amorphous As_2S_3
- 原子間力顕微鏡によるナノ力学の新展開
- 24pPSA-31 STMの真空ギャップ中に励起された電子定在波の解析と応用
- 23pW-10 STM真空ギャップ中の電子定在波による試料表面近傍の電界強度評価
- 25pW-7 STMによるSi(001)面上の真空ギャップ中に励起された電子定在波の測定
- 23pHA-9 Si(001)表面におけるDAT分子の電子状態(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- DLTS Study of Heat Treatments on n-CdTe Crystals
- 27P-E-10 Si(001)面上のGeダイマーのSTM観察と電子状態の研究
- ペンシル型走査型プローブ顕微鏡の開発
- 24pCC-3 Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 周波数変調原子間力顕微鏡による酸化物表面の液中ナノ解析
- 27pXZA-6 非接触AFMによる分子吸着Si(111)7×7表面の電子状態変化の検討(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-15 nc-AFMによる相互作用力と表面電子状態の相関の検討(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aYF-13 ダンピング同時測定によるSi(111)面上のGe薄膜のnc-AFM観察(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))